Invention Publication
- Patent Title: 调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法
- Patent Title (English): Device for adjusting device temperature in plasma etching cavity and temperature adjustment method
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Application No.: CN201510602262.XApplication Date: 2015-09-21
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Publication No.: CN106548917APublication Date: 2017-03-29
- Inventor: 雷仲礼 , 浦远 , 彭帆
- Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- Assignee: 中微半导体设备(上海)有限公司
- Current Assignee: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- Agency: 上海信好专利代理事务所
- Agent 张妍; 张静洁
- Main IPC: H01J37/32
- IPC: H01J37/32

Abstract:
一种调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法,该温度调节装置设置在等离子体刻蚀腔内,包含设置在绝缘环内的绝缘密封组件,该绝缘密封组件通过气体通道连接到气体供应单元,绝缘密封组件中具有若干沟槽空间,这些沟槽空间通过气体通道与气体供应单元联通,所述的绝缘密封组件、气体通道和气体供应单元组成一个密闭的空间,气体供应单元通过释放或回收惰性气体来调节沟槽空间中的气体压力,从而调节绝缘密封组件的热传导率,将聚焦环的温度控制在比基片的温度高50°C~100°C。本发明对等离子体刻蚀腔内器件的温度调节更加简单有效,导热效果更好,成本也更低。
Public/Granted literature
- CN106548917B 调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法 Public/Granted day:2018-07-27
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