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发明授权
CN106548928B 用于射频应用的结构体和制造该结构体的方法 有权

用于射频应用的结构体和制造该结构体的方法
摘要：
本发明涉及一种用于射频应用的结构体(100)，包括：单晶衬底(1)，直接位于所述单晶衬底(1)上的多晶硅层(2)，在所述多晶硅层(2)上的有源层(3)，其旨在容纳射频部件，所述结构体的特征在于，从所述多晶硅层(2)与所述单晶层的界面(I)延伸的所述多晶硅层(2)的至少第一部分(2a)包含浓度为2％～20％的位于所述多晶硅的晶界处的碳和/或氮原子。本发明还涉及一种制造该结构体的方法。
摘要（英）：

The invention relates to a structure (100) for radiofrequency applications comprising: - a monocrystalline substrate (1), - a polycrystalline silicon layer (2) directly on the monocrystalline substrate (1), - an active layer (3) on the polycrystalline silicon layer (2), intended to receive radiofrequency components, characterized in that at least a first portion (2a) of the polycrystalline silicon layer (2) extending from the interface (I) of the polycrystalline silicon layer (2) with the monocrystalline layer includes carbon and/or nitrogen atoms located at the grain boundaries of the polycrystalline silicon. The invention further relates to a process for manufacturing such a structure.

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