公开(公告)号：CN106548928B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201610969638.5

申请日：2016-09-18

申请人： 索泰克公司 ,  百富勤半导体公司

发明人： 比什-因·阮 ,  克里斯托夫·马勒维尔 ,  S·古克特普利 ,  A·M·米司奇欧涅 ,  A·杜瓦雷特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的结构体(100)，包括：单晶衬底(1)，直接位于所述单晶衬底(1)上的多晶硅层(2)，在所述多晶硅层(2)上的有源层(3)，其旨在容纳射频部件，所述结构体的特征在于，从所述多晶硅层(2)与所述单晶层的界面(I)延伸的所述多晶硅层(2)的至少第一部分(2a)包含浓度为2％～20％的位于所述多晶硅的晶界处的碳和/或氮原子。本发明还涉及一种制造该结构体的方法。

公开(公告)号：CN106548928A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610969638.5

申请日：2016-09-18

申请人： 索泰克公司

发明人： 比什-因·阮 ,  克里斯托夫·马勒维尔 ,  S·古克特普利 ,  A·M·米司奇欧涅 ,  A·杜瓦雷特

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的结构体底(1)上的多晶硅层(2)，在所述多晶硅层(2)上的有源层(3)，其旨在容纳射频部件，所述结构体的特征在于，从所述多晶硅层(2)与所述单晶层的界面(I)延伸的所述多晶硅层(2)的至少第一部分(2a)包含浓度为2％～20％的位于所述多晶硅的晶界处的碳和/或氮原子。本发明还涉及一种制造该结构体的方法。(100)，包括：单晶衬底(1)，直接位于所述单晶衬