本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形成含金属层，所述含金属层包含过渡金属；在所述含金属层的暴露的表面上形成约束层；以及在低于400摄氏度的温度下使所述基板退火，以便从所述含硅层和所述含金属层形成金属硅化物层，其中所述约束层抑制富金属的金属硅化物相的形成。