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公开(公告)号：CN106558480B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201610814116.8
申请日：2016-09-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本公开大体上涉及一种半导体处理装置。在一个实施方式中，在本文中公开一种处理腔室。所述处理腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和盖限定内部容积，所述盖被配置成支撑具有帽的外壳；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；蒸发器，所述蒸发器被耦接至所述帽并且具有通向所述处理腔室的所述内部容积的出口，其中所述蒸发器被配置成将前驱物气体输送至所述蒸发器与所述基板支撑件之间限定的处理区域；以及加热器，所述加热器被设置成与所述蒸发器相邻，其中所述加热器被配置成加热所述蒸发器。
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公开(公告)号：CN105830210B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201480069735.8
申请日：2014-11-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分以形成低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面。在低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面上形成含金属介电层。
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公开(公告)号：CN105556643B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201480051104.3
申请日：2014-07-29
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J2237/334 , H01L21/76802 , H01L21/76826 , H01L21/76829
摘要： 提供了用于使用循环蚀刻工艺对设置在基板上的蚀刻停止层进行蚀刻的方法。在个实施例中,用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法包括以下步骤:通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺,所述基板具有设置在所述基板上的所述氮化硅层;以及通过将化学蚀刻气体混合物供应至处理腔室来对所述基板执行化学蚀刻工艺,其中化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮,其中化学蚀刻工艺蚀刻所述经处理的氮化硅层。
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公开(公告)号：CN106814556A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611076231.6
申请日：2016-11-29
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： G03F7/40
CPC分类号： G03F7/2035 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/68764 , G03F7/40
摘要： 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。
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公开(公告)号：CN106558474A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610848019.0
申请日：2016-09-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/28518 , C23C16/42 , C23C16/4418 , C23C16/511 , C23C16/56 , H01L21/02532 , H01L21/28556 , H01L21/324 , H01L21/76864 , H01L21/76885 , H01L21/76889 , H01L23/528 , H01L23/53271 , H01L21/02142 , H01L21/022 , H01L21/02225 , H01L21/02425
摘要： 本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形成含金属层，所述含金属层包含过渡金属；在所述含金属层的暴露的表面上形成约束层；以及在低于400摄氏度的温度下使所述基板退火，以便从所述含硅层和所述含金属层形成金属硅化物层，其中所述约束层抑制富金属的金属硅化物相的形成。
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公开(公告)号：CN106133884A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016792.4
申请日：2015-03-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01L21/3065 , H01L21/32137 , H01L29/66545
摘要： 描述了一种从图案化的异质结构中选择性地干法蚀刻硅的方法。所述方法在远程等离子体蚀刻之前任选地包括等离子体工艺。所述等离子体工艺可以使用经偏压的等离子体来处理一些结晶硅(例如，多晶硅或单晶硅)以形成非晶硅。之后，使用含氢前体形成远程等离子体，从而形成等离子体流出物。使所述等离子体流出物流入基板处理区域，以便从图案化的基板中蚀刻所述非晶硅。通过实现经偏压的等离子体工艺，在蚀刻工艺期间，无论等离子体激发的远程性质如何，都可以将通常各向同性的蚀刻转变为方向性的(各向异性的)蚀刻。
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公开(公告)号：CN106030765A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010005.5
申请日：2015-03-05
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 本公开的实施例提供用于使用等离子体修改工艺来修改基板表面的装置和方法。在一个实施例中，工艺一般包括：当基板设置在粒子束修改装置内时，通过使用高能粒子束来去除和/或再分配基板的被暴露表面的部分。实施例也可提供等离子体修改工艺，所述等离子体修改工艺包含全都在一个处理系统内执行的一个或更多个前平坦化处理步骤和/或一个或更多个后平坦化处理步骤。一些实施例可提供用于通过以下方式来平坦化基板表面的装置和方法：在相同处理腔室内、在相同的处理系统内或在两个或更多个处理系统内发现的处理腔室内执行全部等离子体修改工艺。
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公开(公告)号：CN105830210A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069735.8
申请日：2014-11-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分以形成低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面。在低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面上形成含金属介电层。
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