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发明授权
CN106558544B 半导体器件制造方法 有权

半导体器件制造方法
摘要：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片；在相邻鳍片之间形成浅沟槽隔离；在鳍片上形成栅极堆叠；以栅极堆叠为掩模，执行离子注入，在鳍片下部形成与源漏区导电类型相反的阈值调节区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过控制掺杂工艺参数调节源漏区和部分沟道区下方的掺杂区，从而平衡高应力对小尺寸FinFET阈值电压的影响，提高器件的可靠性。
摘要（英）：

A method for manufacturing a semiconductor device comprises: forming a plurality of fins on a substrate; forming a shallow trench isolation between adjacent fins; forming a gate stack on the fins; performing ion implantation by using the gate stack as a mask, and forming a threshold adjustment area opposite to the conductive type of the source-drain region in the lower parts of the fins. According to the method for manufacturing a semiconductor device, the influence of high stress on the threshold voltage of the small-sized Fin FET is improved by adjusting the doping region under the source-drain region and a partial channel region by controlling doping technical parameter, thereby improving the reliability of the device.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
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