- 专利标题： 抗蚀剂上层膜形成用组合物和使用它的半导体装置的制造方法
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申请号： CN201580040881.2申请日： 2015-07-23
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公开(公告)号： CN106575082B公开(公告)日： 2020-09-25
- 发明人: 藤谷德昌 , 远藤贵文 , 坂本力丸
- 申请人： 日产化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日产化学工业株式会社
- 当前专利权人： 日产化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 孙丽梅; 段承恩
- 优先权： 2014-150975 2014.07.24 JP
- 国际申请： PCT/JP2015/070909 2015.07.23
- 国际公布： WO2016/013598 JA 2016.01.28
- 进入国家日期： 2017-01-23
- 主分类号： G03F7/11
- IPC分类号： G03F7/11
摘要：
一种在半导体装置的制造工序中的光刻工艺中使用的EUV或电子束抗蚀剂上层膜形成用组合物，包含(a)聚合物(P)和(b)溶剂，该溶剂包含相对于该溶剂全体为1质量％～13质量％的碳原子数为4～12的酮化合物，所述EUV或电子束用抗蚀剂上层膜形成用组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时遮蔽不优选的曝光光线例如UV、DUV而仅仅选择性透过EUV，此外，曝光后能够用显影液进行显影。
公开/授权文献
- CN106575082A 抗蚀剂上层膜形成用组合物和使用它的半导体装置的制造方法 公开/授权日：2017-04-19
IPC分类:
