公开(公告)号：CN118930777A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411184173.3

申请日：2024-08-27

申请人： 安徽恒坤新材料科技有限公司

发明人： 林国清 ,  王静 ,  毛鸿超 ,  李禾禾 ,  马丽丽

IPC分类号： C08G8/08 ,  C08G61/02 ,  G03F7/11

摘要： 本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种含萘二甲酰亚胺类聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及其形成图案的方法。所述含萘二甲酰亚胺类聚合物具有式(1)所示结构。所述硬掩模组合物含有含萘二甲酰亚胺类聚合物、交联剂、催化剂、表面活性剂和溶剂。本发明设计并合成具有特定结构的含萘二甲酰亚胺类聚合物，一方面可以提高含有该聚合物的硬掩模组合物的耐刻蚀性能，另一方面也能提高硬掩模组合物的耐热性能，为超精细光刻图案提供一种解决的思路。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118922464A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380028626.0

申请日：2023-03-09

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 上林哲

IPC分类号： C08G59/20 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312

摘要： 具有下述式(1)所示的部分结构、下述式(2)所示的部分结构和下述式(3)所示的部分结构的聚合物。(在式(2)中，Q1表示具有芳香族烃环或脂肪族烃环的2价有机基。在式(3)中，R11表示碳原子数1～10的亚烷基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118915386A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410529694.1

申请日：2024-04-29

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 崔世一

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/11

摘要： 本发明提供一种硬掩模组合物，包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层，以及使用包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层形成图案的方法，硬掩模组合物包含由化学式1表示的化合物和溶剂，[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN118830065A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025248.0

申请日：2023-02-21

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 上林哲

IPC分类号： H01L21/312 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/308

摘要： 一种前处理用组合物，是在使用保护膜形成用组合物在半导体基板上形成保护膜前，涂布在上述半导体基板上的前处理用组合物，其含有选自具有芳香族环和芳香族性羟基的化合物、有机还原剂、和螯合剂中的至少1种化合物(A)、以及溶剂(B)。

公开(公告)号：CN118672060A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410293211.2

申请日：2024-03-14

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 小林直贵 ,  长町伸宏 ,  石绵健汰 ,  郡大佑

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/11

摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、及图案形成方法。本发明课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及图案形成方法。该课题解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其包括：(i)涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，(ii)借由将前述已涂布的基板以100℃以上且600℃以下的温度，进行10秒至7,200秒的热处理并使其硬化形成硬化膜，及(iii)对该硬化膜照射等离子，并形成抗蚀剂下层膜；使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110382558B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201880014350.X

申请日：2018-02-27

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 石地洋平 ,  野越启介 ,  榎本和朗 ,  宫川侑也

IPC分类号： C08F2/44 ,  B41C1/00 ,  B41N1/14 ,  C07C311/48 ,  G03F7/00 ,  G03F7/031 ,  G03F7/11

摘要： 本发明提供一种固化性组合物、具有含有上述固化性组合物的图像记录层的平版印刷版原版、使用上述平版印刷版原版的平版印刷版的制作方法及在上述平版印刷版原版的图像记录层中所使用的化合物。所述固化性组合物含有盐化合物，该盐化合物具有a)Hansen的溶解参数中的δd为16以上、δp为16以上且32以下、δH为δp的60％以下的有机阴离子及b)抗衡阳离子。

公开(公告)号：CN118633058A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380018297.1

申请日：2023-01-24

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 广原知忠 ,  绪方裕斗

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/20

摘要： 本发明提供可形成期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物制造抗蚀剂图案的方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含有机溶剂和聚合物，所述聚合物在末端具有可被包含杂原子的基团中断、可被取代基取代的非环状脂肪族烃基。

公开(公告)号：CN118625600A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410255910.8

申请日：2024-03-06

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 渡部卫 ,  岩森颂平 ,  美谷岛祐介

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F1/76

摘要： 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。课题是提供具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌效果且同时能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、图案形成方法、及该密合膜的形成方法。解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于抗蚀剂上层膜的正下方的密合膜的密合膜形成材料，含有(A)具有含酸解离性基团的结构单元及至少2种的下述通式(1)表示的结构单元的树脂、及(C)有机溶剂，进一步地，更含有(B)光酸产生剂、或该(A)树脂具有借由光而产生酸的结构单元、或者具有两者。下述通式(1)中，R1是氢原子或甲基，R2选自下式(1‑1)～(1‑3)中的基团，虚线表示原子键。#imgabs0#

公开(公告)号：CN111344635B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201880073200.6

申请日：2018-11-23

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 李浚行 ,  李渊槿 ,  金正斗 ,  徐汉珉 ,  宋哲沃 ,  裴南锡

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F1/60

摘要： 本申请涉及用于生产基板的方法。本申请的用于生产基板的方法可以均匀地形成具有根据期望的单元间隙的高度的间隔物，并且还可以自由地控制所述间隔物的高度。

公开(公告)号：CN118550156A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410197554.9

申请日：2024-02-22

申请人： 仁荷大学校产学协力团

发明人： 李鎭均 ,  具叡珍 ,  金民承

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004

摘要： 提供了光刻用垫层化合物、多层结构以及用于制造半导体装置的方法，所述垫层化合物可以改善抗蚀剂膜的分辨率和灵敏度，抑制抗蚀剂图案的倒塌，并且具有改善的耐蚀刻性。所述垫层化合物包括由式1表示的锡‑氧纳米簇的交联材料。[式1][(R‑Sn)12O14(OH)6]2+[Rx‑]2在式1中，R为1个至20个碳原子的烷基，并且Rx‑是抗衡阴离子，并且是烷基苯磺酸根阴离子。