公开(公告)号：CN119585676A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054341.4

申请日：2023-07-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  服部隼人

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含化合物P，所述化合物P具备在苯环上具有酚性羟基且在其邻位具有一个以上的羟甲基或甲氧基甲基的部分结构，以组合物中的全部固形物为基准，化合物P的含量为80重量％以上。

公开(公告)号：CN119563142A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380054011.5

申请日：2023-07-19

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 武田谕 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]成分：聚硅氧烷；[B]成分：硫酸、多官能磺酸、或它们的盐；以及[C]成分：溶剂。

公开(公告)号：CN113795532B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202080033637.4

申请日：2020-05-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 若山浩之 ,  水落龙太 ,  清水祥 ,  染谷安信

IPC: C08G59/40 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳‑碳键可以被杂原子中断并且所述脂肪族环可以经取代基取代。上述脂肪族环为碳原子数3～10的单环式或多环式脂肪族环。上述多环式脂肪族环为二环或三环。

公开(公告)号：CN113359390B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202110240480.9

申请日：2021-03-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新井田惠介 ,  郡大佑 ,  山本靖之 ,  中原贵佳 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。#imgabs0#式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。

公开(公告)号：CN119300974A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043356.0

申请日：2023-05-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 石坂壮二 ,  两角一真

IPC: B32B7/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H05K3/18

Abstract: 一种转印膜及其应用，该转印膜包含临时支承体和配置于临时支承体上的转印层，临时支承体的热变形率为1.0％以下。

公开(公告)号：CN119256273A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042473.5

申请日：2023-05-23

Applicant: 默克专利有限公司

Inventor： 柳田浩志 ,  山本和磨

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明提供一种可显影的抗蚀剂上层膜组合物、以及制造抗蚀剂上层膜图案及抗蚀剂图案的方法。

公开(公告)号：CN119256272A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380041977.5

申请日：2023-04-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西田登喜雄 ,  木下和彦

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/053 ,  C08K5/13 ,  C08K5/151 ,  C08K5/3445 ,  C08L61/04 ,  C08L63/00 ,  C08L101/02

Abstract: 一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：(A)具有在固化剂的存在下能够进行交联反应的反应基的化合物或聚合物；(B)固化剂；(C)具有羟基、以及选自羟基和羰基中的至少一者的化合物；以及(D)溶剂。

公开(公告)号：CN119179235A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410636896.6

申请日：2024-05-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 铃木正弥 ,  佐藤守正

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/42 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种卷绕体以及使用上述卷绕体的具有树脂图案的层叠体的制造方法及具有导体图案的层叠体的制造方法，从卷绕体放出的转印膜中的保护膜的剥离性及端部的层压性优异。所述卷绕体为依次具有临时支承体、组合物层及保护膜的转印膜的卷绕体，上述组合物层包含感光性组合物层，对从上述卷绕体放出的上述转印膜，沿上述转印膜的长度方向隔开8cm的间隔在不同的5处进行以下的截面观察，在各截面观察中所获得的5个位置X及5个位置Y中的最小值及最大值均在‑40～40μm的范围内。

公开(公告)号：CN119087742A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410713093.6

申请日：2024-06-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小林直贵 ,  泷泽彼方 ,  佐藤裕典 ,  岩森颂平 ,  郡大佑

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供一种图案形成方法，借由使用对比已知的KrF抗蚀剂具有优良的干蚀刻耐性且成膜性及基板密合性优异的抗蚀剂下层膜形成用组成物，能够以高精度形成阶梯形状图案。一种图案形成方法，具有下列步骤：在被加工基板上利用抗蚀剂下层膜形成用组成物形成抗蚀剂下层膜，在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂中间膜，在抗蚀剂中间膜上形成抗蚀剂上层膜，在抗蚀剂上层膜形成图案，在抗蚀剂中间膜转印图案，在抗蚀剂下层膜转印图案，在被加工基板形成图案，将抗蚀剂下层膜予以修整，在被加工基板形成阶梯形状的图案；就前述抗蚀剂下层膜形成用组成物而言，含有树脂、及有机溶剂，且使用下式(1)表示者作为树脂。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118930777A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411184173.3

申请日：2024-08-27

Applicant: 安徽恒坤新材料科技有限公司

Inventor： 林国清 ,  王静 ,  毛鸿超 ,  李禾禾 ,  马丽丽

IPC: C08G8/08 ,  C08G61/02 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种含萘二甲酰亚胺类聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及其形成图案的方法。所述含萘二甲酰亚胺类聚合物具有式(1)所示结构。所述硬掩模组合物含有含萘二甲酰亚胺类聚合物、交联剂、催化剂、表面活性剂和溶剂。本发明设计并合成具有特定结构的含萘二甲酰亚胺类聚合物，一方面可以提高含有该聚合物的硬掩模组合物的耐刻蚀性能，另一方面也能提高硬掩模组合物的耐热性能，为超精细光刻图案提供一种解决的思路。#imgabs0#