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公开(公告)号：CN118584753A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410227847.7
申请日：2024-02-29
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供可形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜，且提供具有适切的蚀刻特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料。本发明的解决手段为一种抗蚀剂下层膜材料，包含：(A)不含有酚性羟基的化合物、或酚性羟基经修饰而该酚性羟基的残存率未达2％的化合物，且该化合物的以凝胶渗透层析法所为的聚苯乙烯换算重均分子量为2,500以下的化合物，(B)下列通式(1)所示的含有酚性羟基的交联剂，(C)碱产生剂，及(D)有机溶剂。#imgabs0#式中，Q为单键、或碳数1～20的q价烃基。R16为氢原子、或碳数1～20的烷基。q为1～5的整数。
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公开(公告)号：CN118575132A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089234.0
申请日：2022-12-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·F·伍伊斯特
摘要： 本文中公开了一种用于光刻设备的衬底布置，该衬底布置包括：抗蚀剂；光敏的抗蚀剂下层；以及衬底；其中抗蚀剂下层的曝光阈值低于抗蚀剂的曝光阈值。抗蚀剂和抗蚀剂下层对EUV辐射都是光敏的。
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公开(公告)号：CN113994263B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080044359.2
申请日：2020-06-17
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本发明提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有二氰基苯乙烯基的聚合物(P)或具有二氰基苯乙烯基的化合物(C)，且包含溶剂，不包含由三聚氰胺、脲、苯胍胺、或甘脲衍生的烷基化氨基塑料交联剂，且不包含质子酸固化催化剂。
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公开(公告)号：CN118466120A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410391550.4
申请日：2020-02-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基板处理装置、基板检查装置及方法、以及记录介质，能够根据图像数据更可靠地检测多个边缘中的检查对象的边缘。基板检查装置具备：存储部，其构成为存储检查制程以及根据形成有多个覆膜的基板的周缘部的摄像图像得到的检查图像数据；以及边缘检测部，其构成为使用存储部中存储的检查制程并且基于存储部中存储的检查图像数据来检测多个覆膜中的检查对象覆膜的边缘即对象边缘。多个覆膜各自的边缘沿基板的周缘延伸。检查制程是将多个从多个选项之中确定出一个选项所得到的参数进行组合来构成的。
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公开(公告)号：CN118435121A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202380015443.5
申请日：2023-01-11
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种使用对于基板的周缘部的清洗性及排液稳定性优异的清洗液的半导体基板的制造方法、抗蚀剂底层膜的形成方法及清洗液。一种半导体基板的制造方法，包括：在基板上直接或间接地涂敷抗蚀剂底层膜形成用组合物的工序；利用清洗液对所述基板的周缘部进行清洗的工序；以及在所述清洗工序后，在通过所述涂敷工序而形成的抗蚀剂底层膜上直接或间接地形成抗蚀剂图案的工序，所述抗蚀剂底层膜形成用组合物含有金属化合物及溶媒，所述清洗液含有有机酸。
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公开(公告)号：CN113574085B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202080018601.9
申请日：2020-03-03
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： C08G59/14 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 提供下述保护膜形成用组合物、使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板、和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，包含：末端具有分子内包含至少1组彼此相邻的2个羟基的结构的聚合物、和有机溶剂。上述分子内包含彼此相邻的2个羟基的结构可以为1,2‑乙二醇结构(A)。
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公开(公告)号：CN118355328A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280078721.7
申请日：2022-12-08
申请人： 日产化学株式会社
摘要： 一种抗蚀剂下层膜，是作为抗蚀剂下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物的、抗蚀剂下层膜，上述抗蚀剂下层膜形成用组合物含有聚合物，上述聚合物含有：具有多环芳香族烃结构的单元结构(A)、和来源于马来酰亚胺结构的单元结构(B)中的至少任一单元结构，上述抗蚀剂下层膜的膜厚小于10nm。
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公开(公告)号：CN118159910A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071698.9
申请日：2022-10-27
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在半导体基板等的加工工序中，不仅能够利用以往的干式蚀刻的方法，还能够利用使用稀氢氟酸、缓冲氢氟酸和碱性药液等药液的湿式蚀刻的方法进行剥离，特别是对碱性药液(碱性药液)显示优异的可溶性；另外，提供一种用于形成保存稳定性优异且干式蚀刻工序中的残渣少的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，所述水解性硅烷混合物包含下述式(1)所示的水解性硅烷或下述式(2)所示的水解性硅烷，所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物用于形成在碱性药液中显示可溶性的含硅抗蚀剂下层膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)式(1)中，R1为键合于硅原子的基团，且表示包含琥珀酸酐骨架的有机基团。R4aR5bSi(R6)4‑(a+b) (2)式(2)中，R4为键合于硅原子的基团，且表示下述式(2‑1)所示的一价基团。#imgabs0#
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