公开(公告)号：CN112947000A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110148440.1

申请日：2013-07-29

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 柴山亘 ,  志垣修平 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供抗蚀剂形状良好的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的手段，涉及一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与离子的盐。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，水解性有机硅烷包含选自式(1)：R1aSi(R2)4‑a式(1)和式(2)：〔R3cSi(R4)3‑c〕2Yb式(2)中的至少1种有机硅化合物、其水解物或其水解缩合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在上述抗蚀剂下层膜上涂布EUV抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将上述抗蚀剂膜进行EUV曝光的工序；在曝光后将抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序。

公开(公告)号：CN106575082B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201580040881.2

申请日：2015-07-23

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/11

摘要： 一种在半导体装置的制造工序中的光刻工艺中使用的EUV或电子束抗蚀剂上层膜形成用组合物，包含(a)聚合物(P)和(b)溶剂，该溶剂包含相对于该溶剂全体为1质量％～13质量％的碳原子数为4～12的酮化合物，所述EUV或电子束用抗蚀剂上层膜形成用组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时遮蔽不优选的曝光光线例如UV、DUV而仅仅选择性透过EUV，此外，曝光后能够用显影液进行显影。

公开(公告)号：CN104246614B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201380021388.7

申请日：2013-02-22

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  柴山亘 ,  坂本力丸 ,  何邦庆

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/26

摘要： 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。

公开(公告)号：CN106233207B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201580021424.9

申请日：2015-04-14

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 境田康志 ,  西田登喜雄 ,  藤谷德昌 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/11

摘要： 本发明提供可以形成密合性优异的所期望的抗蚀剂图案、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构的聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、苯基、吡啶基、卤代基或羟基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基、卤代基或‑C(＝O)O‑X所示的酯基，X表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R3表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或卤代基，R4表示直接结合、或碳原子数1～8的二价有机基团，R5表示碳原子数1～8的二价有机基团，A表示芳香族环或芳香族杂环，t表示0或1，u表示1或2。)。

公开(公告)号：CN106716694B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201580047979.0

申请日：2015-09-04

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 水落龙太 ,  境田康志 ,  坂本力丸

IPC分类号： H01M4/62 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1393

摘要： 本发明的课题在于，提供一种粘合剂、包含该粘合剂的电极形成材料和使用该电极形成材料的电极的形成方法，在利用该粘合剂将电极活性物质和导电助剂被覆在集电体上时，被覆在集电体上的电极中的活性物质变为高密度，且与集电体的密合性优异。本发明的解决方法是一种电极形成材料，用于被覆在集电体上，该电极形成材料包含电极活性物质和粘合剂，该粘合剂包含：含有羧基的多糖类、含有羧基的多糖类与环氧化合物的反应生成物、或它们的组合，而且，含有该粘合剂3质量％的水性溶液在25℃下的粘度在20～1500mPa·s的范围。含有羧基的多糖类优选为羧甲基纤维素、藻酸、或其盐。作为电极活性物质，可以使用锂钴复合氧化物、或石墨。作为导电助剂，可以使用碳原料。

公开(公告)号：CN104937493B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201480005361.3

申请日：2014-01-24

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 大西龙慈 ,  坂本力丸 ,  藤谷德昌

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时阻断不优选的曝光光，例如UV、DUV而仅选择性透射EUV，此外曝光后能够用显影液显影的半导体装置的制造工序中的光刻工艺所使用的抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的可以被取代的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物包含：由碳原子数1～10的饱和烷基构成且其氢原子的一部分或全部被氟原子取代的有机基团。

公开(公告)号：CN105555888B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480051491.0

申请日：2014-09-16

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 远藤贵文 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC分类号： C09D201/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24 ,  C09D5/00 ,  C09D145/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供一种用于形成为了使自组装膜容易排列成期望的垂直图案而需要的下层膜的组合物。所述自组装膜的下层膜形成用组合物包含聚合物，所述聚合物具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构的单元结构。聚合物为具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构、与含芳香环化合物的芳香环结构或源自含乙烯基化合物的乙烯基的聚合链的单元结构的聚合物。聚合物具有下述式(1)：(式(1)中，X为单键、以源自含乙烯基化合物的乙烯基结构为聚合链的2价基团、或以源自含芳香环化合物的含芳香环结构为聚合链的2价基团，Y为以源自脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构为聚合链的2价基团。)所示的单元结构。脂肪族多环化合物为2环至6环的二烯化合物。脂肪族多环化合物为二环戊二烯或降冰片二烯。

公开(公告)号：CN104854205B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201380066230.1

申请日：2013-12-13

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 染谷安信 ,  若山浩之 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC分类号： C09D201/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24 ,  C09D5/00 ,  C09D125/00 ,  C09D139/04 ,  C09D145/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供一种不会与上层的自组装膜发生互混(层混合)而在自组装膜上形成垂直图案的自组装膜的下层膜。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，其特征在于，含有在聚合物的全部结构单元中具有0.2摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物结构单元的聚合物。所述聚合物为聚合物在全部结构单元中具有20摩尔％以上的芳香族乙烯基化合物的结构单元，且芳香族乙烯基化合物在全部结构单元中具有1摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物的结构单元的聚合物。所述芳香族乙烯基化合物包含可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，所述多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。另外，所述芳香族乙烯基化合物包含可被取代的苯乙烯、和可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。

公开(公告)号：CN108351593A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062692.X

申请日：2016-11-08

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 西田登喜雄 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  C08F220/36 ,  C08F220/38

CPC分类号： C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  C08F220/36 ,  C08F220/38 ,  G03F7/11

摘要： 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂、和包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决手段是包含具有下述式(1)～式(3)所示的结构单元的共聚物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：上述添加剂、与上述共聚物不同的树脂、有机酸、交联剂和溶剂，上述共聚物的含量相对于上述树脂100质量份为3质量份～40质量份。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数1～3的亚烷基，A表示保护基，R3表示具有4元环～7元环的内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降冰片烷骨架的有机基团，R4表示至少1个氢原子被氟基取代、且进一步可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状或环状的有机基团。)

公开(公告)号：CN103907060B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201280051419.9

申请日：2012-10-12

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 远藤贵文 ,  坂本力丸 ,  藤谷德昌

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08F20/36 ,  C08F220/36

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C08F8/14 ,  C08F20/36 ,  C08F220/32 ,  C08F220/36 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/24

摘要： 本发明的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本发明课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。