发明公开
- 专利标题: 一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法
- 专利标题(英): High-purity compact magnesium oxide target material and preparation method thereof
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申请号: CN201611094912.5申请日: 2016-12-02
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公开(公告)号: CN106587940A公开(公告)日: 2017-04-26
- 发明人: 陈淼琴 , 何金江 , 丁照崇 , 贺昕 , 熊晓东 , 万小勇 , 李勇军 , 雷继锋
- 申请人: 有研亿金新材料有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区超前路33号
- 专利权人: 有研亿金新材料有限公司
- 当前专利权人: 有研亿金新材料有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区超前路33号
- 代理机构: 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 陈波
- 主分类号: C04B35/04
- IPC分类号: C04B35/04 ; C04B35/626 ; C04B35/64 ; C23C14/35
摘要:
本发明属于新材料制造及应用技术领域,具体涉及一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法。本发明对行星球磨的氧化镁粉末进行冷等静压成型后真空烧结,得到近净成形高纯致密氧化镁靶材。其中,真空烧结温度为1400~1550℃,保温时间为2~10h,真空度为0.1~1.0Pa。该法制备的高纯致密氧化镁靶材的致密度为98.36%以上,杂质元素总含量为100ppm以下,平均晶粒尺寸为7μm以下,尺寸偏差为3.0μm以下,表面粗糙度Ra低于0.4μm。本发明制备的氧化镁靶材纯度和致密度高、晶粒细小均匀,本发明制备方法生产周期短、生产成本低、生产效率高、可批量生产。
公开/授权文献
- CN106587940B 一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法 公开/授权日:2020-03-27
IPC分类: