一种高纯铜及铜合金铸锭的制备装置及方法

    公开(公告)号:CN115178714A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202211112499.6

    申请日:2022-09-14

    IPC分类号: B22D9/00 B22D7/00 B22D27/15

    摘要: 本发明属于集成电路用高纯金属熔炼与铸造技术领域,具体公开了一种高纯铜及铜合金铸锭的制备装置及方法,所述装置包括:熔炼炉腔,以及自上而下设置在熔炼炉腔内的熔炼装置、铸造装置;所述熔炼装置包括坩埚、流嘴组件、可移动式托盘,所述流嘴组件插装在所述坩埚底部开设的出料口中,所述可移动式托盘设置在所述坩埚出料口的下面;所述铸造装置包括铸模、底托,所述铸模的上端开口与所述坩埚出料口正对,所述铸模底部插装在底托中。本发明的整个装置结构紧凑简单、熔炼与铸造工艺简便可靠,有助于消除或减少铸锭组织中的气孔、疏松、夹杂等冶金缺陷,有效提高铸锭产品的良率和成材率,显著提升生产效率。

    一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法

    公开(公告)号:CN111015301A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911407364.0

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: B23Q3/06 B23P13/02

    摘要: 本发明公开了一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:1:根据待加工溅射环尺寸在主体工装上加工出定位孔;2:在主体工装上加工出开口区域、倒角区域以及加工让刀区域;3:将待加工溅射环设置在主体工装和工装内撑之间,盖上紧固盖板,并通过主体工装、工装内撑和紧固盖板上预留的安装孔,将待加工溅射环紧固在加工工装上,在主体工装圆周方向上加工出孔位;4:在开口区域的两端进行固定,通过定位销对待加工溅射环进行定位;5:对开口区域的待加工溅射环加工出开口,使用圆弧成型刀完成开口区域的圆弧加工;6:松开螺栓、垫片和螺母,去除紧固盖板,取出工装内撑,取下溅射环,进行检验并包装备存。

    一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN106587940B

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201611094912.5

    申请日:2016-12-02

    摘要: 本发明属于新材料制造及应用技术领域,具体涉及一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法。本发明对行星球磨的氧化镁粉末进行冷等静压成型后真空烧结,得到近净成形高纯致密氧化镁靶材。其中,真空烧结温度为1400~1550℃,保温时间为2~10h,真空度为0.1~1.0Pa。该法制备的高纯致密氧化镁靶材的致密度为98.36%以上,杂质元素总含量为100ppm以下,平均晶粒尺寸为7μm以下,尺寸偏差为3.0μm以下,表面粗糙度Ra低于0.4μm。本发明制备的氧化镁靶材纯度和致密度高、晶粒细小均匀,本发明制备方法生产周期短、生产成本低、生产效率高、可批量生产。

    一种铝合金溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN105296945B

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201510780143.3

    申请日:2015-11-13

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种铝合金溅射靶材及其制备方法。本发明所述的铝合金溅射靶材由Al、Cu和难熔金属组成,原材料为高纯原材料。所述铝合金溅射靶材通过熔炼、热机械化处理及成型加工等工艺制备而成。本发明制备的铝合金溅射靶材的纯度在99.995%以上,晶粒细小均匀,晶粒尺寸控制在200μm以内,综合性能优异,可用于高可靠性高稳定性铝薄膜的制备。

    一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN106587940A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611094912.5

    申请日:2016-12-02

    摘要: 本发明属于新材料制造及应用技术领域,具体涉及一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法。本发明对行星球磨的氧化镁粉末进行冷等静压成型后真空烧结,得到近净成形高纯致密氧化镁靶材。其中,真空烧结温度为1400~1550℃,保温时间为2~10h,真空度为0.1~1.0Pa。该法制备的高纯致密氧化镁靶材的致密度为98.36%以上,杂质元素总含量为100ppm以下,平均晶粒尺寸为7μm以下,尺寸偏差为3.0μm以下,表面粗糙度Ra低于0.4μm。本发明制备的氧化镁靶材纯度和致密度高、晶粒细小均匀,本发明制备方法生产周期短、生产成本低、生产效率高、可批量生产。

    一种铝合金溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN105296945A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510780143.3

    申请日:2015-11-13

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种铝合金溅射靶材及其制备方法。本发明所述的铝合金溅射靶材由Al、Cu和难熔金属组成,原材料为高纯原材料。所述铝合金溅射靶材通过熔炼、热机械化处理及成型加工等工艺制备而成。本发明制备的铝合金溅射靶材的纯度在99.995%以上,晶粒细小均匀,晶粒尺寸控制在200μm以内,综合性能优异,可用于高可靠性高稳定性铝薄膜的制备。