本发明涉及一种单管IGBT的散热结构及加工工艺，其结构包括基板、芯片、热沉、石墨烯散热层以及石墨烯基互连材料。其中采用化学气相沉积法制备的单层石墨烯薄膜作为芯片正面的散热层，通过发挥其优异的面内热传导性能，将单管IGBT器件的局部热点热量迅速横向传递到热沉；将氧化还原法或溶剂剥离法制备的少层石墨烯粉末填充到多模态银颗粒导电胶中，增强其导电导热性能，并将其作为芯片与基板、热沉与基板之间的互连材料，提高热量从芯片到基板的纵向传导能力；采用芯片倒装的互连方式缩短热传导路径，增强整体结构的散热性能，实现局部高热流密度热点的有效散热，从而降低单管IGBT器件的最高温度，提升器件使用寿命。