极化不敏感的拓扑绝缘体电磁诱导透明材料的单元结构

    公开(公告)号:CN109888501A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910123146.8

    申请日:2019-02-18

    申请人: 黄山学院

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本发明涉及一种可调谐石墨烯人工表面极化不敏感的拓扑绝缘体电磁诱导透明材料的单元结构,该结构包括介质层和拓扑绝缘体层,所述介质层正面涂覆拓扑绝缘体层。所述拓扑绝缘体层为正方形形状,介质层为长方形形状,拓扑绝缘体层的材料为硒化铋。本发明具有极化不敏感的电磁诱导透明现象,且结构简单,加工工艺简单,尺寸小,适用于微型化器件制备。

    大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺

    公开(公告)号:CN109920904B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN201910283833.6

    申请日:2019-04-10

    申请人: 黄山学院

    摘要: 本发明提供一种大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺,其结构包括LED芯片单元、导电胶、石墨烯薄膜、覆铜陶瓷基板、导热硅脂、散热器,LED芯片单元采用倒装方式与覆铜陶瓷基板上铜层连接。其中采用化学气相沉积法在设计好的图形化DBC基板上生长石墨烯,作为与芯片侧面接触的散热层,在不影响本身芯片上下面热传导的前提下,利用石墨烯的横向高热导率,将芯片四周侧面的热量迅速横向传递到石墨烯散热层上继而传递到基板上,增加了新的热传导路径;采用芯片倒装的互连方式缩短热传导路径,增强整体结构的散热性能,实现局部高热流密度热点的有效散热,从而降低LED器件的最高温度,提升GaN基LED的发光效率和使用寿命。

    大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺

    公开(公告)号:CN109920904A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910283833.6

    申请日:2019-04-10

    申请人: 黄山学院

    摘要: 本发明提供一种大功率GaN基LED的散热结构及加工工艺,其结构包括LED芯片单元、导电胶、石墨烯薄膜、覆铜陶瓷基板、导热硅脂、散热器,LED芯片单元采用倒装方式与覆铜陶瓷基板上铜层连接。其中采用化学气相沉积法在设计好的图形化DBC基板上生长石墨烯,作为与芯片侧面接触的散热层,在不影响本身芯片上下面热传导的前提下,利用石墨烯的横向高热导率,将芯片四周侧面的热量迅速横向传递到石墨烯散热层上继而传递到基板上,增加了新的热传导路径;采用芯片倒装的互连方式缩短热传导路径,增强整体结构的散热性能,实现局部高热流密度热点的有效散热,从而降低LED器件的最高温度,提升GaN基LED的发光效率和使用寿命。

    基于HHT共振峰-互相关系数的破袋检测装置及方法

    公开(公告)号:CN117213776A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311202205.3

    申请日:2023-09-18

    申请人: 黄山学院

    摘要: 本发明公开了一种基于HHT共振峰‑互相关系数的破袋检测装置及方法。本发明主要由一个Sagnac光纤环路和一个内嵌的MZI构成。Sagnac光纤环路,用于对脉冲清灰式袋式除尘器破损滤袋位置进行定位;内嵌的MZI利用其对振动信号的敏感性,用于对脉冲清灰式袋式除尘器滤袋内气流信号进行检测;光电探测模块,用于对传感光纤返回的相干光信号转化为电信号;双通道数据采集模块,用于对收集到的待测电信号进行数模转换;信号处理与分析模块,对破损滤袋气流振动信号进行解调、采集与存储,并对信号样本进行实时在线特征提取、破损滤袋识别与定位。本发明具有成本低,结构简单,高可靠性、高灵敏度、检测识别准确度高等特点。

    一种宽带电磁诱导透明材料的单元结构及其调谐方法

    公开(公告)号:CN108808258A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810795060.5

    申请日:2018-07-19

    申请人: 黄山学院

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本发明涉及一种互易特性的可调谐石墨烯人工表面宽带电磁诱导透明材料的单元结构及其调谐方法,该结构包括高分子材料层,所述的高分子材料层正面涂覆第一超表面石墨烯层,第一超表面石墨烯层为中间挖空的圆形形状,中间挖空部分为正方形形状;所述的高分子材料层反面涂覆与正面挖空部分形状相同且位置对应的第二超表面石墨烯层。本发明具有互易特性,即电磁波从结构正面和反面入射都可以产生电磁诱导透明特性。本发明具有可调谐的电磁诱导透明特性,即在石墨烯薄膜上加载电压,可以改变电磁诱导透明频点。本发明同时具备环境介电常数可调谐透射率的特性,可用作材料检测等。本发明具有尺寸小,厚度薄,结构简单等特点,适用于微型化器件制备。

    一种(S+C+L)波段混合导光型单偏振单模空芯光纤

    公开(公告)号:CN116990899A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310977370.X

    申请日:2023-08-04

    申请人: 黄山学院

    IPC分类号: G02B6/02

    摘要: 本发明公开了一种(S+C+L)波段混合导光型单偏振单模空芯光纤,属于光纤技术领域,包括外护套圆管、八个内径和厚度完全相同且环绕外护套圆管的圆心均匀设置并紧贴在外护套圆管内侧的包层圆管、一对曲率半径和厚度完全相同且沿x轴和y轴对称分布的负曲率圆弧层、光纤中心区域;本发明中的两对称负曲率圆弧层通过反谐振和折射率全反射混合导光机制实现y偏振基模单偏振传输;八个包层圆管通过反谐振导光机制调控其他高阶模传输损耗,实现光纤的单模传输。本发明在(S+C+L)波段,具有很好的高双折射和单偏振单模特性,且可通过调节不同导光机制的导光能力实现不同模式损耗的有效调控。

    极化不敏感的拓扑绝缘体电磁诱导透明材料的单元结构

    公开(公告)号:CN109888501B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201910123146.8

    申请日:2019-02-18

    申请人: 黄山学院

    IPC分类号: H01Q15/00

    摘要: 本发明涉及一种极化不敏感的拓扑绝缘体电磁诱导透明材料的单元结构,该结构包括介质层和拓扑绝缘体层,所述介质层正面涂覆拓扑绝缘体层。所述拓扑绝缘体层为正方形形状,介质层为长方形形状,拓扑绝缘体层的材料为硒化铋。本发明具有极化不敏感的电磁诱导透明现象,且结构简单,加工工艺简单,尺寸小,适用于微型化器件制备。本发明拓扑绝缘体电磁诱导透明材料具有极化不敏感特性,即电磁波的模式对电磁诱导透明频点无影响;本发明具有大角度的电磁诱导透明特性,即电磁波入射角度从0度到60度范围变化,电磁诱导透明频点变化较小。

    单管IGBT的散热结构及加工工艺

    公开(公告)号:CN106653712B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201710131770.3

    申请日:2017-03-07

    申请人: 黄山学院

    IPC分类号: H01L23/373 H01L21/50

    摘要: 本发明涉及一种单管IGBT的散热结构及加工工艺,其结构包括基板、芯片、热沉、石墨烯散热层以及石墨烯基互连材料。其中采用化学气相沉积法制备的单层石墨烯薄膜作为芯片正面的散热层,通过发挥其优异的面内热传导性能,将单管IGBT器件的局部热点热量迅速横向传递到热沉;将氧化还原法或溶剂剥离法制备的少层石墨烯粉末填充到多模态银颗粒导电胶中,增强其导电导热性能,并将其作为芯片与基板、热沉与基板之间的互连材料,提高热量从芯片到基板的纵向传导能力;采用芯片倒装的互连方式缩短热传导路径,增强整体结构的散热性能,实现局部高热流密度热点的有效散热,从而降低单管IGBT器件的最高温度,提升器件使用寿命。

    一种基于石墨烯超表面结构的可调谐吸收型传感器结构及其应用

    公开(公告)号:CN105789363B

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201610256610.7

    申请日:2016-04-20

    申请人: 黄山学院

    IPC分类号: H01L31/09

    摘要: 本发明公开了一种基于石墨烯超表面结构的可调谐吸收型传感器结构,其特征在于,包括中空上下敞口的极性基体(3),所述极性基体(3)的中空部由下至上依次填充有导体材料层(1)和半导体材料层(2),所述半导体材料层(2)填充至与基体口部外缘上表面齐平,由所述半导体材料层、极性基体口部外缘上表面形成的表面上间隔涂覆有条状石墨烯材料层(4)。本发明石墨烯超表面吸收结构具有电调谐特性,即在该结构上加载电压时,吸收频段会随电压变化而改变;既可单独调谐,也可实现联调。通过石墨烯表面结构实现电压调控吸收频点的位置及个数;本发明同时具备环境介电常数可调谐吸收率的特性,可用作材料检测等。