发明公开
- 专利标题: 一种促进Al‑Mg‑Si‑Cu系合金原生相分布的离散处理方法
- 专利标题(英): Discrete processing method for facilitating progenetic phase distribution of Al-Mg-Si-Cu alloy
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申请号: CN201611115428.6申请日: 2016-12-07
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公开(公告)号: CN106702232A公开(公告)日: 2017-05-24
- 发明人: 郭明星 , 朱杰 , 庄林忠 , 林童 , 张济山
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京市广友专利事务所有限责任公司
- 代理商 张仲波
- 主分类号: C22C21/10
- IPC分类号: C22C21/10 ; C22C21/08 ; C22C21/02 ; C22C21/18 ; C22C21/00 ; C22C1/03 ; C22B9/02 ; C22F1/05
摘要:
一种促进Al‑Mg‑Si‑Cu系合金原生相分布的离散处理方法,属于铝合金技术领域。本发明首先充分利用熔铸过程的外场作用来增加原生相的形核率,进而使形成的富铁相尺寸细小且呈均匀弥散分布状态;然后再辅以后续的热处理工艺调控,不仅可以使得Al‑Mg‑Si‑Cu系合金内的原生富铁相均匀弥散分布于合金基体内,而且还可以以球形分布为主,保证在后续加工过程中不发生破碎或产生微裂纹。该种处理方法可以使得铝合金内原生相分布均匀性大幅度提高,进而显著提高合金的综合性能,非常适合应用于汽车用新型铝合金的制造,特别是对于冲压成性能、强度、表面质量和弯边性能等均有较高要求的复杂形状零部件的制造。
公开/授权文献
- CN106702232B 一种促进Al-Mg-Si-Cu系合金原生相分布的离散处理方法 公开/授权日:2018-01-16