发明公开
- 专利标题: 一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
- 专利标题(英): All-CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) based reference voltage source with high power supply rejection ratio
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申请号: CN201710170849.7申请日: 2017-03-21
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公开(公告)号: CN106843358A公开(公告)日: 2017-06-13
- 发明人: 岳宏卫 , 龚全熙 , 朱智勇 , 徐卫林 , 吴超飞 , 孙晓菲 , 汤寒雪 , 邓进丽
- 申请人: 桂林电子科技大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 代理机构: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈跃琳
- 主分类号: G05F1/567
- IPC分类号: G05F1/567
摘要:
本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。此外,本发明不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
公开/授权文献
- CN106843358B 一种高电源抑制比全CMOS基准电压源 公开/授权日:2018-02-16
IPC分类: