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公开(公告)号：CN105278606B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510779707.1
申请日：2015-11-12
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本发明未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
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公开(公告)号：CN106843358B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710170849.7
申请日：2017-03-21
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105468085B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201610033402.0
申请日：2016-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路；其中，启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于在电源上电时，使基准电压源摆脱简并偏置点；CTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；PTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；电流叠加电路用于将CTAT电压产生电路和PTAT电压产生电路中产生的电流进行叠加，得到一个具有零温漂的电流源，电流源经一有源支路产生基准电压Vref。采用上述组成的CMOS基准电压源，未使用BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容、有效降低了系统成本，并具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点。
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公开(公告)号：CN106026996A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610381483.3
申请日：2016-06-01
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H03K5/22
CPC分类号： H03K5/22
摘要： 本发明公开一种正反馈隔离动态锁存比较器，包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流，交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能；CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离，降低踢回噪声的影响；输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位；正反馈由输出整形的输出控制，在比较阶段增大放电电流；CLK和NCLK为两相不交叠时钟，为整个动态锁存比较器提供时序。本发明能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度，并使得功耗有所改善。
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公开(公告)号：CN107066015B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710257347.8
申请日：2017-04-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本发明为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。
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公开(公告)号：CN107066015A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710257347.8
申请日：2017-04-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本发明为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。
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公开(公告)号：CN106026996B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610381483.3
申请日：2016-06-01
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H03K5/22
摘要： 本发明公开一种正反馈隔离动态锁存比较器，包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流，交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能；CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离，降低踢回噪声的影响；输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位；正反馈由输出整形的输出控制，在比较阶段增大放电电流；CLK和NCLK为两相不交叠时钟，为整个动态锁存比较器提供时序。本发明能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度，并使得功耗有所改善。
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公开(公告)号：CN106843358A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710170849.7
申请日：2017-03-21
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105468085A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201610033402.0
申请日：2016-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F3/26
CPC分类号： G05F3/262
摘要： 本发明公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路；其中，启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于在电源上电时，使基准电压源摆脱简并偏置点；CTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；PTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；电流叠加电路用于将CTAT电压产生电路和PTAT电压产生电路中产生的电流进行叠加，得到一个具有零温漂的电流源，电流源经一有源支路产生基准电压Vref。采用上述组成的CMOS基准电压源，未使用BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容、有效降低了系统成本，并具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点。
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公开(公告)号：CN105278606A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510779707.1
申请日：2015-11-12
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本发明未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
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