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公开(公告)号：CN109842284B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201910168006.2
申请日：2019-03-06
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，包括2个多能量升压单元；每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本发明通过对两种形式的能量进行整合，解决现有技术对单一能量要求严苛问题，降低最低启动电压。本发明使用范围广，可广泛应用在能量收集系统中，降低自启动所需求的电压值。
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公开(公告)号：CN117006900A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310824429.1
申请日：2023-07-06
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种电子雷管用可编程高精度抗冲击的桥丝自适应延时电路主要包括可编程高精度抗冲击延时器和桥丝自适应检测延时补偿模块两部分，在可编程高精度抗冲击延时器中采用了新颖的自适应精度控制电路，自动根据预设的时钟信号对电路的精度进行调整，随后根据精度对延时数据及补偿延时数据进行校正，大大提高了延时设置和时延补偿的便利性与灵活性。桥丝自适应检测延时补偿模块采用了新颖的基于桥丝无损检测的电路来对桥丝式点火药头发火时间的不一致进行补偿，仿真结果表明，该电路能够有效地对发火时间不一致的桥丝式点火药头延时时间进行补偿延时，从而实现了高精度延时及延时补偿，增强了微差爆破的效果。
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公开(公告)号：CN107992159B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810054560.3
申请日：2018-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明公开一种三输出低温漂低功耗基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和三输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供三输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。三输出基准电压产生电路，用于产生低温漂的三个基准电压。本发明能够解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数较差，以及功耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN107967022B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810054578.3
申请日：2018-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本发明能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。
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公开(公告)号：CN116719377A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310380367.X
申请日：2023-04-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开一种快速响应无输出电容的三环数字LDO电路，由1个动态比较器、2个控制模块、2个二选一选择器模块、1个延时模块、1个20位双向移位寄存器、1个进退位模块、2个或门、1个16位双向移位寄存器和3组MOS管阵列构成。本发明采用的是两个同步循环和一个异步循环的三环结构，通过三个循环控制三组MOS管阵列，对数字LDO的输出OUT进行调节，并且去除了输出电容，减小了纹波和总体的功耗、提高了电路的瞬态响应以及节省了芯片的面积。
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公开(公告)号：CN116707530A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310806385.X
申请日：2023-07-04
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明提供一种高阶连续时间混合架构Sigma‑Delta调制器，积分单元包含了一个单放大器双二阶积分器、一个无源积分器和一个有源积分器，与传统高阶Sigma‑Delta调制器相比，该混合架构调制器只使用了两个运算放大器，极大降低了功耗。通过在最后一个有源积分器前加入无源网络，降低带外高频信号噪声的同时为环路提供了一条局部前馈路径，从而减少了一个反馈DAC的使用。本发明提供的高阶连续时间混合架构Sigma‑Delta调制器，可应用于声学传感器、超声波传感器等宽带领域，同时集成校准技术，实现更高的信噪比和更宽的动态范围。
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公开(公告)号：CN106411269B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201611115802.2
申请日：2016-12-07
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本发明通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。
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公开(公告)号：CN112968680A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110342556.9
申请日：2021-03-30
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其包括输入阻抗匹配网络、放大级、差分输出级和负载级。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明共用了带源极负反馈共栅放大器，提高了电路的功率增益，同时在芯片的面积、成本以及电路利用率也有明显的提高。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明采用开关控制偏置电压的关断，设计难度变低，设计的灵活性变强，使电路在各个频段上得到良好的噪声性能和阻抗匹配效果。本发明通过开关控制对频段通路的选择，有效的降低了系统的功耗。
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公开(公告)号：CN108712170A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810885125.5
申请日：2018-08-06
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H03L7/18
CPC分类号： H03L7/18
摘要： 本发明公开一种应用于锁相环的宽动态范围低失配电荷泵电路，包括偏置模块、电流镜模块和充放电匹配模块。偏置模块用于产生恒定电流并输出到电流镜模块。电流镜模块用于对充放电匹配模块中充电控制单元、充电单元、放电单元、放电控制单元提供偏置电压。充放电控制单元用于检测电荷泵输出电压并调节充放电电流，使充放电电流匹配。充放电单元用于对电荷泵输出负载充电或放电。本发明的电荷泵电路将输出电压反馈到充放电控制单元使得电荷泵在很宽的输出电压范围内充电电流和放电电流匹配；电荷泵电路无需额外的运算放大电路，电路结构简单，稳定性好，功耗低，易于集成，适用于高性能锁相环电路。
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公开(公告)号：CN108649822A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810750358.4
申请日：2018-07-10
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元。本发明通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本发明能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。
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