- 专利标题： 半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法
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申请号： CN201610915103.X申请日： 2016-10-20
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公开(公告)号： CN106847782B公开(公告)日： 2021-05-18
- 发明人: 林真太郎
- 申请人： 新光电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本长野县
- 专利权人： 新光电气工业株式会社
- 当前专利权人： 新光电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本长野县
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 向勇
- 优先权： 2015-214850 20151030 JP
- 主分类号： H01L23/495
- IPC分类号： H01L23/495 ; H01L23/31 ; H01L21/48
摘要：
半导体装置包括引线框架、装设在引线框架上的半导体芯片、覆盖引线框架及半导体芯片的密封树脂。引线框架具有柱状的端子。端子具有第1端面、与第1端面为相反侧的第2端面、以及在第1端面与第2端面之间沿纵方向延伸的侧面。在侧面设有阶差部，形成与第2端面为相反侧且具有凹凸部的阶差面。在端子中，从第1端面朝向第2端面延伸且包括阶差面的第1部分被密封树脂覆盖，从第1部分延伸至第2端面的第2部分从密封树脂突出。
公开/授权文献
- CN106847782A 半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法 公开/授权日：2017-06-13
IPC分类:
