公开(公告)号：CN119725289A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411331513.0

申请日：2024-09-24

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 坂井直也 ,  小林浩之佑

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 提供一种能够容易地将凹部形成得较深的引线框架及引线框架的制造方法。引线框架具有：环状的框部，具有第一支承部；以及多个引线部，从所述第一支承部向所述框部的内侧延伸，所述框部和所述引线部具有第一面；以及第二面，位于与所述第一面相反的一侧，在所述第一支承部的所述第一面上形成有多个第一凹部，在各个所述引线部的所述第二面上形成有第二凹部。

公开(公告)号：CN119447077A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411048132.1

申请日：2024-07-31

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 林真太郎

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 提供一种能够针对薄膜获得较高的平坦性的附带薄膜的引线框架、附带薄膜的引线框架的制造方法及半导体装置。附带薄膜的引线框架具有引线框架；以及薄膜，粘贴于所述引线框架，所述引线框架具有环状的框部；以及多个引线部，从所述框部向所述框部的内侧延伸，所述引线部各自具有第一部分，具有与所述框部连接的连结部；第二部分，与所述第一部分连接，并与所述第一部分相比远离所述连结部；以及第三部分，与所述第二部分连接，并与所述第二部分相比远离所述连结部，所述第一部分具有与所述薄膜接触的第一面，所述第二部分具有与所述第一面连接，并与所述薄膜分离的第二面，所述第三部分具有与所述第二面连接，并与所述薄膜接触的第三面。

公开(公告)号：CN118738007A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410342100.6

申请日：2024-03-25

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 曾根原袈裟幸

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种引线框架及其制造方法、半导体装置。在具有与芯片垫的外缘连接的弯曲部的引线框架中，提高芯片垫的平坦性。本引线框架具有：芯片垫，具备上表面和下表面；以及弯曲部，仰视时，布置在所述芯片垫的外侧，并且一端与所述芯片垫的外缘连接，其中，在所述弯曲部设置有向所述芯片垫的下表面侧开口的槽，所述弯曲部在所述槽向所述芯片垫的上表面侧弯曲。

公开(公告)号：CN112683092B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202011093481.7

申请日：2020-10-13

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 町田洋弘

IPC: F28D15/04 ,  F28F13/18

Abstract: 本发明提供一种能够提高散热性能的环路式热管及其制造方法，环路式热管具有用于使工作流体气化的蒸发器、用于使所述工作流体液化的冷凝器、用于将所述蒸发器和所述冷凝器连接起来的液管、用于将所述蒸发器和所述冷凝器连接起来并且和所述液管共同形成环路式的流路的蒸气管、以及设于所述蒸发器、所述冷凝器、所述液管以及所述蒸气管的一部分的内部的多孔体，所述蒸发器、所述冷凝器、所述液管以及所述蒸气管具有第一主面，在所述第一主面的所位于所述流路正上或正下的第一区域的至少一部分形成有凹部，不在所述第一主面的位于所述流路的管壁正上或正下的第二区域以及所述第一主面的位于所述多孔体正上或正下的第三区域形成所述凹部。

公开(公告)号：CN117135809A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310588176.2

申请日：2023-05-23

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 长泽隆政

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够缓和热负荷时的应力，并且使用了高导热率的导热构件的基板。本基板具有：导热构件，所述导热构件具有多个碳纳米管、设置于多个上述碳纳米管的一端侧的第1树脂层、以及设置于多个上述碳纳米管的另一端侧的第2树脂层；层叠于上述第1树脂层上的第1金属层；以及层叠于上述第2树脂层上的第2金属层，上述第1树脂层和上述第2树脂层不含有填料，构成上述第1树脂层的树脂含浸于多个上述碳纳米管的一端侧，构成上述第2树脂层的树脂含浸于多个上述碳纳米管的另一端侧。

公开(公告)号：CN117096086A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310562019.4

申请日：2023-05-18

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 后藤明

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种陶瓷基板、陶瓷基板的制造方法、静电吸盘、基板固定装置以及用于半导体器件的封装件，陶瓷基板包括基体和埋入在基体中的电导体图案。基体为陶瓷。该导电体图案具有作为主要成分的下述固溶体：具有钴和铁固溶在钨中的体心立方晶格结构的固溶体、具有钴和硅固溶在钨中的体心立方晶格结构的固溶体、具有钴和锰固溶在钨中的体心立方晶格结构的固溶体、或具有钴和镍固溶在钨中的体心立方晶格结构的固溶体。

公开(公告)号：CN117053604A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310506922.9

申请日：2023-05-08

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 町田洋弘

IPC: F28D15/02 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明提供一种热管，该热管包括供工作流体注入的注入口。注入口具有第一外金属层、第二外金属层、设置在第一外金属层和第二外金属层之间的至少一个内金属层、以及注入的工作流体在其中移动的注入通道，注入通道由第一外金属层、第二外金属层和内金属层界定。第一外金属层具有第一内表面，该第一内表面面向第二外金属层并构成注入通道的第一内表面。第一外金属层的第一内表面具有至少一个第一槽部。

公开(公告)号：CN116937317A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310407605.1

申请日：2023-04-17

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 海沼正夫

IPC: H01S5/02208 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/02345

Abstract: 本发明提供一种半导体封装用管座及半导体封装，能够提高构成半导体封装时的传输特性。本半导体封装用管座具有:孔眼部，其包括具有第一面以及作为上述第一面的相反面的第二面的平板部、在上述平板部的上述第一面开口的腔部、以及自上述平板部的上述第二面突起的金属块；以及引线，其自上述第一面贯通至上述第二面，上述金属块的体积与上述腔部的体积大致相同。

公开(公告)号：CN108878373B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201810380988.7

申请日：2018-04-25

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 笠原哲一郎

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/492

Abstract: 本发明的目的是提高布线基板的可靠性。布线基板(1)包括绝缘层(30)、第1布线层(10)以及第2布线层(20)。第1布线层(10)埋入到绝缘层(30)，第1布线层(10)的上表面(10a)从绝缘层露出。第2布线层(20)包括位于比绝缘层(30)的下表面(30b)靠下侧的位置的端子部(21)和埋入到绝缘层的埋入部(22)。布线基板(1)进一步包括连接第1布线层(10)和埋入部(22)的连接通路(40)。绝缘层(30)包括埋入部(22)与第1布线层(10)的下表面(10b)之间的延伸部(31)。延伸部(31)包括贯穿孔(31X)，连接通路(40)形成于延伸部(31)的贯穿孔(31X)内。

公开(公告)号：CN115910961A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210995634.X

申请日：2022-08-18

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 山本研吾

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种晶圆以及晶圆的制造方法,其能够抑制用于导电凸块的形成的抗蚀层的残存。该晶圆具有:基板；以及基板的一个面之上的多个导电凸块，在自与上述基板的一个面垂直的方向的俯视时，在上述基板的一个面中，上述多个导电凸块的面积密度在排列有多个有效芯片区域的第一区域内比设于上述第一区域的周围的第二区域内高。