本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含基底、第一栅极以及第二栅极。该第一栅极是设置在该基底之上，并且包含第一间隙壁以及依序堆叠于该基底上的栅极绝缘层、多晶硅层、第一金属硅化物层以及帽盖层，该第一间隙壁环绕该栅极绝缘层、该多晶硅层、该第一金属硅化物层以及该帽盖层。该第二栅极同样是设置在该基底之上，并且包含第二间隙壁以及依序堆叠于该基底上的高介电常数介电层、功函数金属层以及导电层。该第二间隙壁环绕该高介电常数介电层、该功函数金属层以及该导电层。