公开(公告)号：CN106910737A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510974251.4

申请日：2015-12-23

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 李信宏 ,  陈冠全 ,  李年中 ,  李文芳 ,  王智充

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含基底、第一栅极以及第二栅极。该第一栅极是设置在该基底之上，并且包含第一间隙壁以及依序堆叠于该基底上的栅极绝缘层、多晶硅层、第一金属硅化物层以及帽盖层，该第一间隙壁环绕该栅极绝缘层、该多晶硅层、该第一金属硅化物层以及该帽盖层。该第二栅极同样是设置在该基底之上，并且包含第二间隙壁以及依序堆叠于该基底上的高介电常数介电层、功函数金属层以及导电层。该第二间隙壁环绕该高介电常数介电层、该功函数金属层以及该导电层。

公开(公告)号：CN110120420B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201810112699.9

申请日：2018-02-05

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 李信宏 ,  陈冠全 ,  李年中 ,  李文芳 ,  王智充

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括半导体层，有第一元件区域与第二元件区域。浅沟槽隔离结构在所述半导体层中，位于所述第一元件区域与所述第二元件区域的边缘。第一绝缘层与第二绝缘层在所述半导体层上，分别位于所述第一元件区域与所述第二元件区域。第一栅极结构位于所述第一绝缘层上。源极区域与漏极区域在所述半导体层中，位于所述第一栅极结构的两侧。栅极掺杂区域在所述半导体层的所述第二元件区域的表面区域，当作第二栅极结构。通道层位于所述第二绝缘层上。源极层与漏极层，在所述浅沟槽隔离结构上，位于所述通道层的两侧。

公开(公告)号：CN106910737B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201510974251.4

申请日：2015-12-23

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 李信宏 ,  陈冠全 ,  李年中 ,  李文芳 ,  王智充

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含基底、第一栅极以及第二栅极。该第一栅极是设置在该基底之上，并且包含第一间隙壁以及依序堆叠于该基底上的栅极绝缘层、多晶硅层、第一金属硅化物层以及帽盖层，该第一间隙壁环绕该栅极绝缘层、该多晶硅层、该第一金属硅化物层以及该帽盖层。该第二栅极同样是设置在该基底之上，并且包含第二间隙壁以及依序堆叠于该基底上的高介电常数介电层、功函数金属层以及导电层。该第二间隙壁环绕该高介电常数介电层、该功函数金属层以及该导电层。

公开(公告)号：CN104979390B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201410136033.9

申请日：2014-04-04

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 萧世楹 ,  游焜煌 ,  李文芳 ,  林淑雯 ,  陈冠全

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。半导体晶体管包含一基底、一栅极介电层、一栅极以及一源极与漏极区。该栅极介电层，是设置在该基底上，具有一凸部及一凹陷部，其中该凸部设置于该凹陷部的两侧且具有大于该凹陷部的厚度。该栅极则设置于该栅极介电层上。由此，该栅极介电层的凸部可维持较高的击穿电压，避免电流自栅极渗漏。

公开(公告)号：CN110120420A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201810112699.9

申请日：2018-02-05

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 李信宏 ,  陈冠全 ,  李年中 ,  李文芳 ,  王智充

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括半导体层，有第一元件区域与第二元件区域。浅沟槽隔离结构在所述半导体层中，位于所述第一元件区域与所述第二元件区域的边缘。第一绝缘层与第二绝缘层在所述半导体层上，分别位于所述第一元件区域与所述第二元件区域。第一栅极结构位于所述第一绝缘层上。源极区域与漏极区域在所述半导体层中，位于所述第一栅极结构的两侧。栅极掺杂区域在所述半导体层的所述第二元件区域的表面区域，当作第二栅极结构。通道层位于所述第二绝缘层上。源极层与漏极层，在所述浅沟槽隔离结构上，位于所述通道层的两侧。

公开(公告)号：CN104979390A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410136033.9

申请日：2014-04-04

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 萧世楹 ,  游焜煌 ,  李文芳 ,  林淑雯 ,  陈冠全

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/2822 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/401 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。半导体晶体管包含一基底、一栅极介电层、一栅极以及一源极与漏极区。该栅极介电层，是设置在该基底上，具有一凸部及一凹陷部，其中该凸部设置于该凹陷部的两侧且具有大于该凹陷部的厚度。该栅极则设置于该栅极介电层上。由此，该栅极介电层的凸部可维持较高的击穿电压，避免电流自栅极渗漏。

公开(公告)号：CN100565923C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200710128375.6

申请日：2007-07-10

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 吴荣宗 ,  陈冠全 ,  戴炘 ,  吕安泰 ,  张堡安

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提出一种高压金属氧化物半导体晶体管，其包括掺杂衬底、两个第一隔离结构、栅极结构、源极区、漏极区、两个第二隔离结构以及两个漂移区。其中，两个第一隔离结构分别配置于掺杂衬底中。栅极结构配置于部分两个第一隔离结构及其之间的掺杂衬底上。源极区与漏极区分别配置于两个第一隔离结构一侧的掺杂衬底中。两个第二隔离结构分别配置于两个第一隔离结构下方，而第二隔离结构的上表面小于第一隔离结构的下表面。两个漂移区分别配置于掺杂衬底中，且将源极区与漏极区、两个第一隔离结构以及两个第二隔离结构包围起来。

公开(公告)号：CN101345258A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200710128375.6

申请日：2007-07-10

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 吴荣宗 ,  陈冠全 ,  戴炘 ,  吕安泰 ,  张堡安

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提出一种高压金属氧化物半导体晶体管，其包括掺杂基底、两个第一隔离结构、栅极结构、源极区、漏极区、两个第二隔离结构以及两个漂移区。其中，两个第一隔离结构分别配置于掺杂基底中。栅极结构配置于部分两个第一隔离结构及其之间的掺杂基底上。源极区与漏极区分别配置于两个第一隔离结构一侧的掺杂基底中。两个第二隔离结构分别配置于两个第一隔离结构下方，而第二隔离结构的上表面小于第一隔离结构的下表面。两个漂移区分别配置于掺杂基底中，且将源极区与漏极区、两个第一隔离结构以及两个第二隔离结构包围起来。