利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN107012507A 用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置 无效 - 撤回

  • 专利标题： 用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置
  • 专利标题（英）： POLYSILICON PREPARATION APPARATUS FOR PREVENTING GROUND FAULT CURRENT AND HAVING EXCELLENT EFFECT OF REMOVING SILICON DUST
  • 申请号： CN201611123111.7
    申请日： 2016-12-08
  • 公开(公告)号： CN107012507A
    公开(公告)日： 2017-08-04
  • 发明人: 吴珉暻 , 姜秉昶 , 尹钟寿 , 尹民荣
  • 申请人： OCI有限公司
  • 申请人地址： 韩国首尔
  • 专利权人： OCI有限公司
  • 当前专利权人： OCI有限公司
  • 当前专利权人地址： 韩国首尔
  • 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
  • 代理商 巩克栋; 杨生平
  • 优先权： 10-2015-0175228 20151209 KR
  • 主分类号： C30B28/14
  • IPC分类号： C30B28/14 ;  C30B29/06
用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置
摘要：
本发明涉及用于防止接地故障电流且具有优异的去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置。所述多晶硅制备装置包括室和陶瓷颗粒层，所述室包括具有打开的下部的外壳和与所述外壳的下部连接的基板，所述陶瓷颗粒层在基板的上表面上，用于防止在过程中产生的硅粉尘与基板直接接触且在所述过程之后与硅粉尘一起被去除。
摘要（英）：

The present disclosure relates to a polysilicon preparation apparatus for preventing ground fault current and having an excellent effect of removing silicon dust. The polysilicon preparation apparatus includes a chamber comprising a housing with an opened lower portion and a base plate coupled to the lower portion of the housing, and a ceramic particle layer on an upper surface of the base plate, for preventing silicon dusts generated during a process from directly contacting the base plate and to be removed together with silicon dusts after the process.

0/0