公开(公告)号：CN118434680A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084392.7

申请日：2022-12-21

申请人： OCI有限公司

发明人： 卢民镐 ,  吴珉暻 ,  蒋濬贤 ,  池银玉

IPC分类号： C01B33/037 ,  H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M10/052 ,  B02C17/20

摘要： 本发明涉及一种将如金属、氧等杂质含量最小化并控制粒度的硅纳米粒子的有效制备方法，具体地，使用多晶硅微粉作为原材料，从而可以提供具有80nm＜D50＜150nm以及100nm＜D90＜250nm的粒度，总金属杂质含量为200ppm以下以及总氧含量为10.0％以下的硅纳米粒子的制备方法。

公开(公告)号：CN118339675A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079651.7

申请日：2022-11-29

申请人： OCI有限公司

发明人： 蒋濬贤 ,  卢民镐 ,  吴珉暻 ,  池银玉

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M4/02

摘要： 本发明提供一种二次电池用负极材料的制备方法，上述二次电池用负极材料包含在纳米硅粒子表面均匀且致密地涂有沥青的高质量纳米硅‑碳复合材料。并且，本发明提供一种通过上述二次电池用负极材料的制备方法制备的二次电池用负极材料及包含其的二次电池，以能够提高二次电池的初始放电容量、初始效率及寿命特性。

公开(公告)号：CN112779014B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202011095759.4

申请日：2020-10-14

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  梁俊镐 ,  庾煉晳 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN112210379B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202010554002.0

申请日：2020-06-17

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及包括通过使用其来进行的蚀刻工序的半导体器件的制备方法，该氮化硅膜蚀刻溶液中包含具有杂芳基类取代基的化合物，因此不易分解且在磷酸水溶液中显出高分布度，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN111253783B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201911216413.2

申请日：2019-12-02

申请人： OCI有限公司

发明人： 孙秀珍

IPC分类号： C09C1/48 ,  C09C1/56

摘要： 本发明涉及可连续执行碳黑形成及碳黑活化的装置及方法。根据本发明，为了活化在燃烧反应器中形成的碳黑，将碳黑重复回流至燃烧反应器，由此，可以确保用于充分活化碳黑的残留时间。

公开(公告)号：CN110028971B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201811523773.2

申请日：2018-12-13

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳灏成 ,  金铉峻 ,  白珍珠 ,  李浚银 ,  全贤善

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制备方法，更详细地，包含在半导体制备工序中进行湿式蚀刻的情况下，对氧化膜的蚀刻率进行最小化的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物以及包括利用其蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：CN108291314B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201680068003.6

申请日：2016-11-21

申请人： OCI有限公司

发明人： 金允澈 ,  朴钟熙 ,  权伦琼 ,  张郁

IPC分类号： C23F1/10 ,  C23F1/14 ,  C23F1/16 ,  C23F1/18

摘要： 本发明涉及铜蚀刻用组合物及过氧化氢类金属蚀刻用组合物，更具体地，涉及如下过氧化氢类金属蚀刻用组合物，能够防止铜蚀刻用组合物及过氧化氢类金蚀刻用组合物中的过氧化氢的分解及其他成分的改性，上述铜蚀刻用组合物可通过提高在铜与有机物之间形成的螯合键的稳定性来抑制从蚀刻用组合物产生铜沉淀物。

公开(公告)号：CN111303885A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911269619.1

申请日：2019-12-11

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  文暎善 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN110607186A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910892140.7

申请日：2015-10-16

申请人： OCI有限公司

发明人： 宋永石 ,  李周炯 ,  金兑泓 ,  尹光仪 ,  表祥熙

IPC分类号： C10C3/00 ,  C10C3/06 ,  C10C3/08

摘要： 本发明提供高纯度沥青的制备方法，其用于碳原材料原料的高纯度沥青的制备，所述制备方法包括：准备软化点为10℃至60℃的软沥青的步骤；对上述软沥青和芳香族类不溶物凝聚溶剂进行混合来准备混合物的步骤；利用离心分离法或滗析法从上述混合物中分离未包含不溶物的上清液部分和包含不溶物的沉淀物部分的步骤；以及通过蒸馏从上述未包含不溶物的上清液部分中去除上述芳香族类不溶物凝聚溶剂，取得高纯度沥青的步骤，作为重质β树脂的喹啉可溶-四氢呋喃不溶物的含量与作为β树脂的喹啉可溶-甲苯不溶物的总含量之比在0.65以下。

公开(公告)号：CN107014856B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201611066160.1

申请日：2016-11-28

申请人： OCI有限公司

发明人： 金载珉 ,  严明燮 ,  金守焕 ,  芮熙昌

IPC分类号： G01N25/12 ,  H01M8/0432

CPC分类号： H01M8/0482 ,  H01M8/04328 ,  H01M8/04335 ,  H01M8/04365 ,  H01M8/04447 ,  H01M8/04455 ,  H01M8/04559 ,  H01M8/188 ,  H01M8/20 ,  H02J7/007 ,  Y02E60/528

摘要： 一种用于测量氧化还原液流电池的电解质平衡的方法，其包括：通过向电池组施加电流对所述氧化还原液流电池充电；在所述氧化还原液流电池充电的同时，测量阳极电解质溶液和阴极电解质溶液的温度；计算所述阳极电解质溶液随时间的温度变化率和所述阴极电解质溶液随时间的温度变化率；决定对应于所述阳极电解质溶液随时间的温度变化率的拐点的第一变化时间和对应于所述阴极电解质溶液随时间的温度变化率的拐点的第二变化时间；和使用所述第一变化时间、所述第二变化时间、阳极电解质的氧化数和阴极电解质的氧化数计算所述氧化还原液流电池的平均电解质氧化数。