本公开提供垂直存储器件及其制造方法。一种垂直存储器件包括绝缘夹层图案、栅电极、沟道和电荷存储图案结构。绝缘夹层图案在第一方向上间隔开。栅电极分别在相邻的绝缘夹层图案之间。沟道在第一方向上延伸穿过绝缘夹层图案和栅电极。电荷存储图案结构包括在第二方向上顺序堆叠在沟道与每个栅电极之间的隧道绝缘图案、电荷俘获图案结构和阻挡图案。电荷俘获图案结构包括在第一方向上间隔开的电荷俘获图案。电荷俘获图案分别邻近第一栅电极的侧壁。第一电荷俘获图案在第一方向上沿第一绝缘夹层图案的侧壁延伸。