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发明公开
CN107109642A 金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法、金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜以及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置 无效 - 撤回

  • 专利标题： 金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法、金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜以及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置
  • 专利标题（英）： Method for producing metal carbonitride film or metalloid carbonitride film, metal carbonitride film or metalloid carbonitride film, and apparatus for producing metal carbonitride film or metalloid carbonitride film
  • 申请号： CN201580058152.X
    申请日： 2015-11-04
  • 公开(公告)号： CN107109642A
    公开(公告)日： 2017-08-29
  • 发明人: 白井昌志 , 二瓶央
  • 申请人： 宇部兴产株式会社
  • 申请人地址： 日本山口县
  • 专利权人： 宇部兴产株式会社
  • 当前专利权人： 宇部兴产株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本山口县
  • 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
  • 代理商 庞东成
  • 优先权： 2014-243722 20141202 JP
  • 国际申请： PCT/JP2015/081014 2015.11.04
  • 国际公布： WO2016/088500 JA 2016.06.09
  • 进入国家日期： 2017-04-26
  • 主分类号： C23C16/36
  • IPC分类号： C23C16/36 ;  C23C16/42 ;  C23C16/448 ;  H01L21/318
金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造方法、金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜以及金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的制造装置
摘要：
本发明提供能够在低温下成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法和装置。将含有通式(1)所表示的胍化合物的氮源和金属源或半金属源供给至成膜对象物上，成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜。(式中，多个R可以相同或不同，分别表示氢原子、碳原子数1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或碳原子数1～9的三烷基甲硅烷基。其中，多个R可以相互键合形成环)
摘要（英）：

Provided are a method and apparatus by which a metal carbonitride film or metalloid carbonitride film can be formed at a low temperature. A metal carbonitride film or metalloid carbonitride film is formed by supplying a nitrogen source which contains a guanidine compound represented by general formula (1) (In the formula, the plurality of R groups may be the same as or different from each other and each denotes a hydrogen atom, a straight chain, branched chain or cyclic alkyl group having 1-5 carbon atoms, or a trialkylsilyl group having 1-9 carbon atoms. Moreover, the plurality of R groups may bond to each other to form a ring.), and a metal source or metalloid source to an object on which a film is to be formed.

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