发明授权
- 专利标题: 场发射装置以及改质处理方法
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申请号: CN201580070574.9申请日: 2015-12-22
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公开(公告)号: CN107112179B公开(公告)日: 2018-11-09
- 发明人: 高桥大造 , 深井利真 , 谷水彻
- 申请人: 株式会社明电舍
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社明电舍
- 当前专利权人: 株式会社明电舍
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 于丽
- 优先权: 2014-262766 2014.12.25 JP
- 国际申请: PCT/JP2015/085786 2015.12.22
- 国际公布: WO2016/104484 JA 2016.06.30
- 进入国家日期: 2017-06-23
- 主分类号: H01J35/06
- IPC分类号: H01J35/06 ; H01J35/16 ; H05G1/00 ; H05G1/02
摘要:
在真空腔(1)中,发射器(3)和目标物(7)彼此对置。保护电极(5)围绕发射器(3)的电子生成部(31)的外周缘设置。支撑部(4)在真空腔(1)的端到端方向上可移动地支撑发射器(3)。通过操作支撑部件(4),将发射器(3)移至敞口端(21)侧(非放电位置)并且在来自电子生成部(31)的场发射被抑制的状态下施加电压以在保护电极(5)上重复引起放电来对保护电极(5)执行改质处理。在改质处理之后,再次操作支撑部(4)。发射器(3)被移至敞口端(22)侧(放电位置)并且被置于允许来自电子生成部(31)的场发射的状态。
公开/授权文献
- CN107112179A 场发射装置以及改质处理方法 公开/授权日:2017-08-29