一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法
摘要:
本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法,其中,该方法包括:利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅,特性腐蚀溶液包括:氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水;将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干;将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理,反性酸性染色溶液包括:氢氟酸、硝酸和冰醋酸;根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性,并且能有效的降低反应速度,保证成功率,且可以平整保留器件层;染色处理后的待测芯片非常平整,方便快速确定待测芯片的类型。
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