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公开(公告)号：CN108091561A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN107132472B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN108091561B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN107170663A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610121476.X
申请日：2016-03-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力公司
摘要： 本发明公开了一种从封装体取出芯片的方法，包括：去除封装体的密封盖板，封装体的底部设有封装框架，且封装框架上通过粘片胶设有芯片，密封盖板设置于封装体的上部；向封装体内注入树脂并固化，对封装体进行塑封并形成铸件；对塑封后的铸件的底部进行研磨处理，去除封装体底部的封装框架；在预设温度范围内对研磨后的铸件进行加热处理，挖取出芯片；对挖取出的芯片进行强酸漂洗，预设时间后取出漂洗后的芯片。该方法不必加热到太高温度，就能从封装体中取出芯片；而且酸处理时间较短，不会腐蚀焊盘，可完好地取出芯片，芯片还可进行二次封装。
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公开(公告)号：CN111710627A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010469555.6
申请日：2020-05-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种芯片封装预处理方法及芯片分析方法，属于集成电路技术领域。所述预处理方法包括：探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；腐蚀所述多芯片封装；剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。本发明用于FIB预处理。
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公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F30/33
摘要： 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN111710627B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010469555.6
申请日：2020-05-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种芯片封装预处理方法及芯片分析方法，属于集成电路技术领域。所述预处理方法包括：探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；腐蚀所述多芯片封装；剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。本发明用于FIB预处理。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN113607511A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片待分析样品，可以增大功率芯片截面的染色面积，增强芯片截面的染色效果，有利于功率芯片结构的准确判断。
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