发明授权
- 专利标题: 一种基于单轴加载的二级增压装置
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申请号: CN201710341551.8申请日: 2017-05-16
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公开(公告)号: CN107144586B公开(公告)日: 2019-07-16
- 发明人: 贺端威 , 刘方明
- 申请人: 四川大学
- 申请人地址: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- 专利权人: 四川大学
- 当前专利权人: 四川大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- 主分类号: G01N23/20008
- IPC分类号: G01N23/20008
摘要:
本发明提了用于原位中子衍射实验的一种基于单轴加载式的二级增压装置,包括砧面相对的两个一级压砧,位于两个一级压砧砧面之间的封垫,在所述封垫内位于两个一级压砧相对砧面的部分打孔作为一级压腔,一级压腔内设有二级增压环,二级增压环的外壁与一级压腔的内壁相契合,其外径小于或等于一级压腔的内径,在二级增压环的上下开口分别设直径与二级增压环内径相等或略小的二级增压片,二级增压环和二级增压片围成的空间成为装放样品的二级样品腔,实验装样后两个二级增压片都分或全部嵌于二级增压环中,解决了打在封垫上的样品腔因为样品的横向挤压而扩大的问题,还解决了在原位中子衍射实验过程中样品随着压力增加而变薄的问题。
公开/授权文献
- CN107144586A 一种基于单轴加载的二级增压装置 公开/授权日:2017-09-08
IPC分类: