发明公开
- 专利标题: 一种降低测试图形对划片质量影响的切割方法
- 专利标题(英): Cutting method capable of lowering influence on scribing quality from test pattern
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申请号: CN201710201163.X申请日: 2017-03-30
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公开(公告)号: CN107146772A公开(公告)日: 2017-09-08
- 发明人: 冯小成 , 徐璟 , 贺晋春 , 荆林晓 , 吴玥 , 冯邢杰
- 申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 臧春喜
- 主分类号: H01L21/78
- IPC分类号: H01L21/78 ; H01L21/304
摘要:
本发明公开了一种降低测试图形对划片质量影响的切割方法,该方法先利用宽度较厚、转速较慢的第一划片刀对晶圆划片道上的测试图形进行划切,再利用宽度较窄、转速较快的第二划片刀对晶圆进行划切。采用该方法可以有效的切除晶圆划片道上的测试图形,避免了划切测试图形过程中出现的晶圆崩缺现象,同时降低了集成电路内部产生多余物的风险,且工艺成本低廉,应用范围广泛。
IPC分类: