- 专利标题: 一种具有倾斜贯穿硅通道的晶片封装及其制备方法
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申请号: CN201610351606.9申请日: 2016-05-24
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公开(公告)号: CN107180816B公开(公告)日: 2019-05-07
- 发明人: 林柏均
- 申请人: 南亚科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾桃园县
- 专利权人: 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人: 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾桃园县
- 代理机构: 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 郑泰强; 李昕巍
- 优先权: 15/068,206 2016.03.11 US
- 主分类号: H01L23/538
- IPC分类号: H01L23/538 ; H01L21/768
摘要:
本公开的晶片封装包含至少一集成电路晶粒。该至少一集成电路晶粒包含:一基板部,具有位于一前侧与一背侧之间的一内面;位于该前侧上的一电互连部;位于该电互连部的上表面上的至少一第一连接终端;位于该基板部的该背侧上的至少一第二连接终端;电连接该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端的至少一连接线;位于该基板部的该内面与该电互连部的上表面之间的一晶片选择终端;以及一晶片选择线。该晶片选择线连接至该晶片选择终端及该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端其中之一。该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包含一倾斜部,该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜。
公开/授权文献
- CN107180816A 一种具有倾斜贯穿硅通道的晶片封装及其制备方法 公开/授权日:2017-09-19
IPC分类: