包括RESURF层和阶跃栅极的LDMOS晶体管以及相关联的系统和方法

发明公开

CN107180873A 包括RESURF层和阶跃栅极的LDMOS晶体管以及相关联的系统和方法无效 - 驳回

请登陆查看更多内容

专利标题： 包括RESURF层和阶跃栅极的LDMOS晶体管以及相关联的系统和方法
专利标题（英）： LDMOS transistors including RESURF layers and stepped-gates, and associated systems and methods
申请号： CN201710303816.5

申请日： 2017-03-14
公开(公告)号： CN107180873A

公开(公告)日： 2017-09-19
发明人: J·夏 , M·A·祖尼加 , B·法特米扎德赫
申请人： 马克西姆综合产品公司
申请人地址： 美国加利福尼亚州
专利权人： 马克西姆综合产品公司
当前专利权人： 马克西姆综合产品公司
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
代理机构： 永新专利商标代理有限公司
代理商 陈松涛; 王英
优先权： 62/307,862 20160314 US
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336 ; H01L21/8238

摘要：

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管，包括硅半导体结构，该硅半导体结构包括：(a)基层，(b)在厚度方向上设置于该基层之上的p型减少表面场效应(RESURF)层，(c)在厚度方向上设置于该p型RESURF层之上的p体区，(d)均设置于该p体区中的源极p+区域和源极n+区域，(e)在正交于厚度方向的横向方向上邻近该p体区设置的高压n型横向扩散漏极(HVNLDD)，该HVNLDD接触该p型RESURF层，和(f)设置于该HVNLDD中的漏极n+区域。该LDMOS晶体管可进一步包括(a)在厚度方向上并且在p体区和HVNLDD的至少部分之上设置于硅半导体结构上的第一电介质层和(b)在厚度方向上设置于该第一电介质层上的第一栅极导体。

摘要（英）：

A lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect (LDMOS) transistor includes a silicon semiconductor structure including (a) a base layer, (b) a p-type reduced surface field effect (RESURF) layer disposed over the base layer in a thickness direction, (c) a p-body disposed over the p-type RESURF layer in the thickness direction, (d) a source p+ region and a source n+ region each disposed in the p-body, (e) a high-voltage n-type laterally-diffused drain (HVNLDD) disposed adjacent to the p-body in a lateral direction orthogonal to the thickness direction, the HVNLDD contacting the p-type RESURF layer, and (f) a drain n+ region disposed in the HVNLDD. The LDMOS transistor further includes (a) a first dielectric layer disposed on the silicon semiconductor structure in the thickness direction over at least part of the p-body and the HVNLDD and (b) a first gate conductor disposed on the first dielectric layer in the thickness direction.

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的