-
公开(公告)号：CN110176454A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910123703.6
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
摘要： 一种多晶体管器件包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管。在某些实施例中，所述第一LDMOS晶体管包括第一漂移区，所述第二LDMOS晶体管包括第二漂移区，并且所述第一和第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型RESURF层分离开。
-
公开(公告)号：CN108987479B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201810601858.1
申请日：2018-06-05
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，该晶体管包括硅半导体结构和垂直栅。该垂直栅包括：(a)栅导体，该栅导体从该硅半导体结构的第一外表面延伸进入该硅半导体结构中；以及(b)栅电介质层，该栅电介质层包括至少三个介电区段。这至少三个介电区段中的每一个介电区段将该栅导体与该硅半导体结构分隔开相应的分隔距离，其中，这些相应的分隔距离中的每一个与这些相应的分隔距离中的另一个彼此不相同。
-
公开(公告)号：CN110176853A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910125367.9
申请日：2019-02-20
申请人： 马克西姆综合产品公司
摘要： 一种电流感测设备包括：参考晶体管，用于电耦合到功率晶体管；感测晶体管，用于电耦合到所述功率晶体管；以及控制电路系统。所述控制电路系统被配置为(a)控制通过所述感测晶体管的电流，使得所述感测晶体管处的电压与所述功率晶体管处的电压具有预定关系，并且(b)根据所述参考晶体管处的一个或多个操作条件来控制通过所述感测晶体管的电流，以便补偿所述功率晶体管的老化。
-
公开(公告)号：CN112236864B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201980037906.1
申请日：2019-06-04
申请人： 马克西姆综合产品公司
摘要： 一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构和垂直栅极。该垂直栅极包括：(a)第一栅极导体和第二栅极导体，各自在厚度方向上从该硅半导体结构的第一外表面延伸到该硅半导体结构中，(b)第一隔离电介质层，该第一隔离电介质层在该垂直栅极内将该第一栅极导体与该第二栅极导体隔离，以及(c)栅极电介质层，该栅极电介质层将该第一栅极导体和该第二栅极导体中的每一个与该硅半导体结构隔离。
-
公开(公告)号：CN110176853B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910125367.9
申请日：2019-02-20
申请人： 马克西姆综合产品公司
摘要： 一种电流感测设备包括：参考晶体管，用于电耦合到功率晶体管；感测晶体管，用于电耦合到所述功率晶体管；以及控制电路系统。所述控制电路系统被配置为(a)控制通过所述感测晶体管的电流，使得所述感测晶体管处的电压与所述功率晶体管处的电压具有预定关系，并且(b)根据所述参考晶体管处的一个或多个操作条件来控制通过所述感测晶体管的电流，以便补偿所述功率晶体管的老化。
-
公开(公告)号：CN110176488A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910123704.0
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 一种包括击穿电压钳位的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；以及p型减小表面场(PRSF)层，该PRSF层包括一个或多个桥接部分。该一个或多个桥接部分中的每一个在厚度方向上在该漏极n+区下方延伸。另一LDMOS晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；n型减小表面场(NRSF)层，在横向方向上布置在该源极n+区与该漏极n+区之间；PRSF层，在与该横向方向正交的厚度方向上布置在该NRSF层下方；以及p型埋层(PBL)，在该厚度方向上布置在该PRSF层下方。该漏极n+区在该厚度方向上布置在该PBL之上。
-
公开(公告)号：CN110176454B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910123703.6
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
摘要： 一种多晶体管器件包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管。在某些实施例中，所述第一LDMOS晶体管包括第一漂移区，所述第二LDMOS晶体管包括第二漂移区，并且所述第一和第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型RESURF层分离开。
-
公开(公告)号：CN112993039A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110156670.2
申请日：2017-05-23
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。
-
公开(公告)号：CN112236864A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980037906.1
申请日：2019-06-04
申请人： 马克西姆综合产品公司
摘要： 一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构和垂直栅极。该垂直栅极包括：(a)第一栅极导体和第二栅极导体，各自在厚度方向上从该硅半导体结构的第一外表面延伸到该硅半导体结构中，(b)第一隔离电介质层，该第一隔离电介质层在该垂直栅极内将该第一栅极导体与该第二栅极导体隔离，以及(c)栅极电介质层，该栅极电介质层将该第一栅极导体和该第二栅极导体中的每一个与该硅半导体结构隔离。
-
公开(公告)号：CN110176488B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910123704.0
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 一种包括击穿电压钳位的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；以及p型减小表面场(PRSF)层，该PRSF层包括一个或多个桥接部分。该一个或多个桥接部分中的每一个在厚度方向上在该漏极n+区下方延伸。另一LDMOS晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；n型减小表面场(NRSF)层，在横向方向上布置在该源极n+区与该漏极n+区之间；PRSF层，在与该横向方向正交的厚度方向上布置在该NRSF层下方；以及p型埋层(PBL)，在该厚度方向上布置在该PRSF层下方。该漏极n+区在该厚度方向上布置在该PBL之上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.045 秒)
