发明授权
- 专利标题: 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
-
申请号: CN201710392393.9申请日: 2017-05-27
-
公开(公告)号: CN107195659B公开(公告)日: 2020-07-24
- 发明人: 操彬彬 , 钱海蛟 , 杨成绍 , 黄寅虎
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 焦玉恒
- 主分类号: H01L27/32
- IPC分类号: H01L27/32 ; H01L21/822
摘要:
一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制作方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成半导体层;在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料;在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案;以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层;以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层,其中,有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域,刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。采用该制作方法,既可以增大开态电流和电子迁移率,也可以避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路,从而提升产品的良率。
公开/授权文献
- CN107195659A 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 公开/授权日:2017-09-22
IPC分类: