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公开(公告)号：CN111258125B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010105103.X
申请日：2020-02-20
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , H01L27/12
摘要： 本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以避免有机绝缘层产生的气体，导致显示面板显示故障；还可以避免水汽、氧气进入到显示面板的显示区，影响显示面板的显示效果。一种显示面板具有显示区；显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于阵列基板与对盒基板之间的封框胶；阵列基板包括平坦层；沿阵列基板指向对盒基板的方向，平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，阵列基板还包括设置于有机绝缘层与第二无机绝缘层之间的交联图案；交联图案位于封框胶背离显示区一侧。
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公开(公告)号：CN110047738B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910332924.4
申请日：2019-04-24
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/34 , H01L29/786 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括：形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，在绝缘保护层上形成光阻，采用掩膜版形成光阻图案，光阻图案包括：光阻全保留区域，第一光阻部分保留区域，第二光阻部分保留区域和光阻去除区域，第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度；对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀，使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；形成源漏金属层；剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。
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公开(公告)号：CN109427819B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710774031.6
申请日：2017-08-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括：衬底基板，包括像素区，所述像素区包括反射区；反射区薄膜，在所述反射区内；颗粒层，在所述反射区薄膜上，所述颗粒层被配置为使所述反射区薄膜远离所述衬底基板的一侧具有颗粒状的粗糙表面；反射电极，在所述颗粒层上。该阵列基板用以提高反射区的漫反射效果。
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公开(公告)号：CN106775167B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201710025532.4
申请日：2017-01-13
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种触控基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的触控基板，包括基底，设置在所述基底上的多个触控电极块，位于任意两相邻林的所述触控电极块之间设置有填充块；其中，所述填充块的材料的折射率为n3，所述基底的材料的折射率为n1，所述触控电极块的材料的折射率为n2，且|n2‑n3|＜|n2‑n1|。在本发明中在各个触控电极块之间设置填充块，且|n2‑n3|＜|n2‑n1|，即填充块材料的折射率与触控电极块的材料折射率差值，小于基底材料与触控电极块的材料折射率差值，同时由于材料的折射率决定了其反射率，故填充块材料的反射率与触控电极块的材料反射率相差不大，因此，本发明中的触控基板的消影效果较好。
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公开(公告)号：CN107195659B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710392393.9
申请日：2017-05-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , H01L21/822
摘要： 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料；在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案；以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层；以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层，其中，有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。采用该制作方法，既可以增大开态电流和电子迁移率，也可以避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路，从而提升产品的良率。
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公开(公告)号：CN111258125A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010105103.X
申请日：2020-02-20
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , H01L27/12
摘要： 本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以避免有机绝缘层产生的气体，导致显示面板显示故障；还可以避免水汽、氧气进入到显示面板的显示区，影响显示面板的显示效果。一种显示面板具有显示区；显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于阵列基板与对盒基板之间的封框胶；阵列基板包括平坦层；沿阵列基板指向对盒基板的方向，平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，阵列基板还包括设置于有机绝缘层与第二无机绝缘层之间的交联图案；交联图案位于封框胶背离显示区一侧。
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公开(公告)号：CN109873089A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910152093.2
申请日：2019-02-28
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 操彬彬
摘要： 本发明提供一种发光二极管显示面板，发光二极管显示基板包括衬底、像素界定层和多个发光二极管，像素界定层形成在衬底上，像素界定层上形成有多个像素开口，发光二极管的第一电极的侧壁部的外表面包括多个反射面和连接在相邻两个反射面之间的出射面，多个反射面沿远离衬底的方向依次排列，出射面与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角小于反射面与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角，其中，侧壁部的外表面为侧壁部背离像素开口的侧壁内表面的表面。本发明还提供一种发光二极管显示面板及其制造方法。发光二极管显示面板具有较高的发光率。
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公开(公告)号：CN109860305A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811588559.5
申请日：2018-12-25
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 操彬彬
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明提供了薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置。该薄膜晶体管包括：衬底；缓冲层，缓冲层设置在衬底的表面上；有源层，有源层设置在缓冲层远离衬底的表面上；栅绝缘层，栅绝缘层设置在有源层远离衬底的表面上；栅极，栅极设置在栅绝缘层远离衬底的表面上，且栅极在衬底上的正投影与栅绝缘层在衬底上的正投影部分重叠；其中，薄膜晶体管的有源层的宽度小于栅极的宽度，且栅极在衬底上的正投影覆盖有源层在衬底上的正投影。该薄膜晶体管的有源层的宽度并不受限于栅极的宽度，可以制作得较小，因此该薄膜晶体管可以较为显著地增大开态电流，且工艺简单、容易实现、易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108873526A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810795868.3
申请日：2018-07-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。阵列基板包括数据线，所述数据线是由导电区域和绝缘区域组成的复合结构，所述导电区域和绝缘区域沿所述数据线的宽度方向分布。所述导电区域的材料包括金属，所述绝缘区域的材料包括金属化合物，所述金属化合物通过对所述金属进行等离子处理获得。本发明通过在数据线的宽度方向上将数据线设计成由绝缘区域和导电区域组成的复合结构，能够同时减小数据线与公共电极之间、数据线与像素电极之间的耦合电容，在保证数据线关键尺寸和良品率的前提下，大幅度提升了产品品质和性能。
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公开(公告)号：CN107425014A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710344384.2
申请日：2017-05-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1281 , H01L27/1285
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，在激光对非晶硅层照射获取多晶硅半导体时，根据传统的制作工艺得到的阵列基板中的栅电极和栅线为联通状态，将导致激光能量沿着栅线进行扩散的问题，本发明通过间隔设置栅电极和栅线，使得在制备多晶硅半导体层时，栅电极与栅线为未连通状态，从而避免了激光能量的扩散问题，激光能量能够集中对非晶硅层照射，短时间内提升栅电极的温度，提升多晶硅的转换效率以及激光能量的利用效率，实现使用较少的激光资源制备晶粒更大，迁移率更高的多晶硅半导体的效果。
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