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公开(公告)号：CN110416286B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201910695857.2
申请日：2019-07-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , H10K59/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置，该显示面板，包括：衬底基板，位于衬底基板之上的薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管，包括：栅极，与栅极绝缘设置的有源层，与有源层直接接触电连接且相对设置的两个欧姆接触部；欧姆接触部分为第一区域和第二区域；第一区域在衬底基板上的正投影与栅极在衬底基板上的正投影互不交叠；第二区域在衬底基板上的正投影与栅极在衬底基板上的正投影具有交叠区域；欧姆接触部在第一区域包括第一轻掺杂区。通过在欧姆接触部的第一区域设置第一轻掺杂区，使栅极未遮挡的位置处的载流子浓度降低，可有效降低漏电流，并且，增加了沟道长度，也对漏电流有一定降低作用。
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公开(公告)号：CN110992835B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201911328483.7
申请日：2019-12-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种阵列基板，包括至少两个薄膜晶体管；所述至少两个薄膜晶体管之间设置有数据线，所述数据线下方设置有源层；所述有源层下方设置有遮光层，所述有源层的正投影位于所述遮光层内。本发明还提供了一种显示装置及其驱动方法。
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公开(公告)号：CN109860026B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910110957.4
申请日：2019-02-12
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302
摘要： 本发明公开了制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板。具体的，本发明提出了一种制备多晶硅薄膜的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。由此，该方法可以简便地去除多晶硅预制层表面的凸起，使多晶硅薄膜的表面平整性较高，提高了多晶硅薄膜的使用性能。
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公开(公告)号：CN107731679B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201710947326.9
申请日：2017-10-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上依次形成第二膜层和第一膜层，第一膜层上形成有第一过孔；在形成有第一膜层的衬底基板上形成光刻胶图案；以高于光刻胶图案的耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化处理；通过刻蚀工艺刻蚀第二膜层，以在第二膜层上形成第二过孔。本发明通过以高于光刻胶图案耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化，使光刻胶图案在热固化过程中均匀附着在过孔侧壁上。解决了相关技术中，光刻胶难以保护过孔侧壁，导致过孔侧壁与衬底基板的夹角较大，使后续形成于过孔中的结构可能在该过孔处断裂，造成显示面板不良的问题，达到了提高显示面板良率的效果。
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公开(公告)号：CN107195659B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710392393.9
申请日：2017-05-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , H01L21/822
摘要： 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料；在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案；以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层；以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层，其中，有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。采用该制作方法，既可以增大开态电流和电子迁移率，也可以避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路，从而提升产品的良率。
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公开(公告)号：CN107845674B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201711027663.2
申请日：2017-10-27
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板，包括：设置于衬底基板上的栅极、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，第一有源层位于栅极朝向衬底基板的一侧，第二有源层位于栅极背向第一有源层的一侧，第一源极与第一漏极位于第一有源层背向栅极的一侧且均与第一有源层连接，第二源极与第二漏极位于第二有源层背向栅极的一侧且均与第二有源层连接；第一漏极和第二漏极的平行于衬底基板的截面形状均为环形，第一漏极环绕第一源极，第二漏极环绕第二源极；第一源极与第二源极电连接，第一漏极与第二漏极电连接。本发明的技术方案可在减小薄膜晶体管的尺寸的同时，还能提升薄膜晶体管在饱和区输出电流的稳定性。
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公开(公告)号：CN110676222A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910958015.1
申请日：2019-10-10
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种显示基板的制造方法、显示基板和显示装置，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的显示基板中残沙不良的问题。本发明的显示基板的制造方法包括提供基底，在基底上形成有钝化层；在所述钝化层背向所述基底一侧形成非晶态的氧化物导电材料层；在氧化物导电材料层上形成光刻胶图案，光刻胶图案具有暴露区域；对光刻胶图案的暴露区域内的氧化物导电材料层进行刻蚀，以形成镂空位置；去除光刻胶图案的暴露区域内的部分厚度的钝化层材料。
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公开(公告)号：CN110488548A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910865107.5
申请日：2019-09-12
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种阵列基板和车载显示装置，以解决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。所述阵列基板的所述第一晶体管包括：配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极，所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第一交叠区；所述第二晶体管包括：配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极，所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第二交叠区；所述第一交叠区和所述第二交叠区的面积相等。
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公开(公告)号：CN106653776B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710042098.0
申请日：2017-01-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板包括衬底和设置在衬底上的晶体管，晶体管包括栅极和有源层；栅极的面对有源层的一侧面上形成有光线吸收层，光线吸收层能对照射到其上的光线进行吸收。该阵列基板通过在栅极的面对有源层的一侧面上形成光线吸收层，能够将照射到其上的背光光线进行吸收，从而避免照射到有源层上的背光光线反射到栅极上之后，栅极将该部分光线再次反射到有源层，进而减少照射到有源层上的背光光线，以减少背光光线对晶体管的开关特性造成影响，最终确保晶体管的开关稳定性和采用该阵列基板的显示装置的显示效果和可信赖性。
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公开(公告)号：CN106449665B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611094764.7
申请日：2016-12-02
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板通过对绝缘层刻蚀出多个第一孔隙结构，可以减小了绝缘层与平坦层的接触面积并使平坦层可在孔隙结构对应的位置释放其内部应力，从而使得绝缘层和平坦层的形变量差异减小，进而可降低发生膜层断裂的几率；另外，多个第一孔隙结构还可以缓冲断裂应力，在断裂时能够利用孔隙结构终止断裂进程，最终将断裂影响降到最低，提高良率。
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