本发明涉及一种优化终端结构的沟槽型功率半导体器件及制作方法，其特征在于：第一导电类型外延层上设有至少一个第二类沟槽，第二类沟槽两侧第一导电类型外延层的表面依次设有第二导电类型体区和绝缘介质层，第一类沟槽与第二类沟槽间的第二导电类型体区内设有重掺杂第二导电类型源区，源极金属穿过绝缘介质层上的通孔与所述重掺杂第二导电类型源区接触，第二类沟槽内设有一层氧化层，在沟槽侧壁的氧化层上覆盖有多晶硅，且侧壁的多晶硅间通过绝缘介质层绝缘，第二类沟槽下方设有第二导电类型阱区；本发明制造方法与现有半导体工艺兼容，且减少了光刻板数量，减小了终端的宽度，降低了制造成本，同时通过优化终端结构提高了器件的耐压能力。