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发明公开
CN107210215A III‑V族元素的氧化物的去除液及去除方法、III‑V族元素的化合物的处理液、III‑V族元素的抗氧化液、以及半导体基板的处理液及半导体基板产品的制造方法 有权

  • 专利标题： III‑V族元素的氧化物的去除液及去除方法、III‑V族元素的化合物的处理液、III‑V族元素的抗氧化液、以及半导体基板的处理液及半导体基板产品的制造方法
  • 专利标题（英）： Solution and method for removal of group III-v element oxide, solution for treatment of group III-v element compound, solution for preventing oxidation of group III-v element, solution for treatment of semiconductor substrate, and method for production of semiconductor substrate product
  • 申请号： CN201680006546.5
    申请日： 2016-02-04
  • 公开(公告)号： CN107210215A
    公开(公告)日： 2017-09-26
  • 发明人: 高桥智美 , 朴星戊 , 水谷笃史 , 稻叶正
  • 申请人： 富士胶片株式会社
  • 申请人地址： 日本国东京都
  • 专利权人： 富士胶片株式会社
  • 当前专利权人： 富士胶片株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本国东京都
  • 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
  • 代理商 葛凡
  • 优先权： 2015-025478 20150212 JP 2016-018056 20160202 JP
  • 国际申请： PCT/JP2016/053422 2016.02.04
  • 国际公布： WO2016/129509 JA 2016.08.18
  • 进入国家日期： 2017-07-20
  • 主分类号： H01L21/304
  • IPC分类号： H01L21/304 ;  H01L21/308
III‑V族元素的氧化物的去除液及去除方法、III‑V族元素的化合物的处理液、III‑V族元素的抗氧化液、以及半导体基板的处理液及半导体基板产品的制造方法
摘要：
本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。
摘要（英）：

Provided are a solution for the removal of, a solution for preventing the oxidation of, and a solution for the treatment of a group III-V element oxide, each solution comprising an acid and a mercapto compound. Also provided is a method for using each of the solutions. Further provided are a solution for the treatment of a semiconductor substrate, the solution comprising an acid and a mercapto compound, and a method for the production of a semiconductor substrate product, the method using the solution.

公开/授权文献
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