- 专利标题： 一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法
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申请号： CN201710471713.X申请日： 2017-06-20
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公开(公告)号： CN107239632B公开(公告)日： 2020-12-25
- 发明人: 赖朝荣 , 王智
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 智云
- 主分类号： G06F30/39
- IPC分类号： G06F30/39
摘要：
本发明提出一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，该模型为：其中f(x，y)为离子注入到光阻中的厚度，g(x，y)为离子注入到硅基中的厚度，y为注入能量，x为注入离子种类，AMU(x)为元素x的原子量。本发明提出的模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，可以计算出离子注入在光阻中的深度，从而针对不同离子注入条件选择相适应的光阻，以避免光阻穿透。
公开/授权文献
- CN107239632A 一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法 公开/授权日：2017-10-10
