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公开(公告)号：CN106373846B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201611009755.3
申请日：2016-11-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
摘要： 本发明提出一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，包括下列步骤：由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子；负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子；所述正离子通过加速后，通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流；在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。本发明提出的晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，通过在能量筛选电磁场后，增加一个对束流垂直偏转方向的电场，筛选出需要的能量源种束流，将不满足能量要求的金属等注入消除，从而降低金属污染。
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公开(公告)号：CN107993912A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711185019.8
申请日：2017-11-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171
摘要： 本发明公开了一种校准离子注入机的离子注入角度的方法，选取多个不同的离子注入角度，采用离子注入机对普通硅片进行离子注入；退火处理后测量薄层电阻值，根据薄层电阻值和对应的注入角度建立校准曲线，计算获取校准角度。本发明技术方案中采用普通硅片替代现有的高精度硅片可以减小注入角度校准的成本，采用薄层电阻值替换准确性较低的热波值，在不使用高精度硅片的条件下也可实现同等的注入角度校准效果。
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公开(公告)号：CN103904008B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410106605.9
申请日：2014-03-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种半导体设备的机械臂的动态传感器结构，包括机械臂、旋转马达、控制器和若干角度传感器，若干角度传感器设于机械臂的一端上，机械臂的另一端与旋转马达连接，旋转马达驱动机械臂旋转，旋转马达和若干角度传感器分别与控制器连接，若干角度传感器实时将机械臂一端的旋转角度传递至控制器。本发明的技术方案精确控制硅片在机械传送过程中的物理状态，实时调整目标角度，适应了先进半导体制程的需要。
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公开(公告)号：CN105390421A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510663126.1
申请日：2015-10-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67098
摘要： 本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种反应室温度分区控制系统，将密封反应室分为多个区域，通过温度计感测密封反应室不同区域的温度，温度控制器与所述温度计组连接，所述温度控制器内设置有温度控制软件，所述温度控制软件计算所述温度计感测到的密封反应室相应区域的温度补偿，并根据所述温度补偿对所述温度补偿对应的密封反应室的区域加热，采用本技术方案将密封反应室分为多个区域，计算每个区域的温度补偿，根据温度补偿对相应区域加热，有效解决了密封反应室进、排气口与密封反应室内其它区域加热后温度不均，硅片淀积材料厚度不均匀带来的受热不均等问题，提升热加工工艺效果的均一性与稳定性，有效达到了对温度进行控制的目的。
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公开(公告)号：CN104979249A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510435906.0
申请日：2015-07-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67098 , H01L21/324
摘要： 一种进出气装置，包括：气体盒，与外界气压源连通，并设置在工艺腔室之第一侧壁；第一气体分流板，与气体盒连通，并位于气体盒之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第一气体通孔；气体出口，设置在第二侧壁；第二气体分流板，与气体出口连通，并位于气体出口之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第二气体通孔。本发明将工艺气体输入至气体盒，并将工艺气体聚集，随后将工艺气体通过间隔设置第一气体通孔之第一气体分流板进行流速降低，平缓、均匀的导入至晶圆的表面，最后通过设置在晶圆之异于第一气体分流板一侧的第二气体分流板和气体出口将残留气体导出，不仅气流平缓、分布均匀，而且对晶圆温度的影响一致、均匀性好，极大的提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN104091773A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410331742.2
申请日：2014-07-11
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： G05B19/41865 , H01L21/67
摘要： 一种半导体制造的多平行动态流程控制方法。半导体制造的执行过程包括可交换执行次序的多个平行流程，每个平行流程包括依次执行的一个或多个步骤。该多平行动态流程控制方法包括：识别出每个平行流程中的一个或多个步骤中的可平行变更步骤；在半导体制造的执行过程中实时地记录每个平行流程已经执行完的步骤；在执行完所述多个平行流程中的任意一个可平行变更步骤之后，判断是否从当前平行流程转换至另一平行流程；如果判断不从当前平行流程转换至另一平行流程，则继续执行当前平行流程的下一步骤；如果判断将从当前平行流程转换至另一平行流程，则确定将从当前平行流程转换至的多个平行流程中特定平行流程，并随后转入确定的特定平行流程。
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公开(公告)号：CN105097618B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510435942.7
申请日：2015-07-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 一种晶圆反应腔室，包括：反应腔室本体，设置进气阀门和出气阀门，并围闭形成晶圆的容置腔；托环载体，呈面向设置在反应腔室本体之底板处，并在呈面向设置的一侧形成“凸”型空间，且托环载体在驱动电机的作用下移动；晶圆托环，设置在托环载体之异于底板的一侧；密封垫圈，设置在托环载体之异于底板的一侧内边缘；第一伸缩支架，设置在“凸”型空间内；真空隔离灯罩，可伸缩式的设置在反应腔室本体之顶板处。本发明晶圆反应腔室在机台故障时，可自动形成密闭空间，并在重新建立真空环境，通入反应气体时，将晶圆从密闭空间内回至晶圆托环处，不仅结构简单、使用方便，而且有效避免冲击过程中形成颗粒物污染，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN107507764A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710612020.8
申请日：2017-07-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种离子注入剂量自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域；方法包括：分别获取当前层之前特定层的制造工序中离子注入剂量的影响参数，根据所有影响参数以及当前层的制造工序对应的注入工序的标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；将当前层的目标注入剂量与预设的目标剂量范围进行比较，以确定与目标注入剂量相匹配的目标剂量范围；选择与被确定的目标剂量范围相对应的离子注入程式，并根据被选择的离子注入程式确定当前层的制造工序中的离子注入剂量。系统依照上述方法实现。上述技术方案的有益效果是：简化离子注入剂量自动控制的复杂度，保证注入剂量调整的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN107239632A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710471713.X
申请日：2017-06-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提出一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，该模型为：其中f(x，y)为离子注入到光阻中的厚度，g(x，y)为离子注入到硅基中的厚度，y为注入能量，x为注入离子种类，AMU(x)为元素x的原子量。本发明提出的模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，可以计算出离子注入在光阻中的深度，从而针对不同离子注入条件选择相适应的光阻，以避免光阻穿透。
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公开(公告)号：CN106898546A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710146467.0
申请日：2017-03-13
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L21/26506 , H01L22/10
摘要： 本发明公开了一种监控Ge离子注入质量的方法，首先提供一测试样本，其次选择与被监控Ge离子相同原子质量的As离子代替Ge离子,保持其余注入条件不变，对测试样本进行离子注入，然后待高温退火后，量测离子注入层的方块电阻，根据方块电阻的量测值结果，对与被监控Ge离子相同原子质量的As离子注入质量进行判断，等效于对被监控Ge离子注入质量进行判断。由于原子质量相同，导致其在离子注入机中通过磁场分析仪路径和加速路径也相同，从而，在其余注入条件相同的时候，离子注入的深度和角度也应该等同。因此，可以采用监控灵敏度更高的Rs监控方法对Ge离子注入质量进行监控，满足先进工艺对Ge离子注入质量的监测需求。
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