公开(公告)号：CN107239632B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201710471713.X

申请日：2017-06-20

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 赖朝荣 ,  王智

IPC分类号： G06F30/39

摘要： 本发明提出一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，该模型为：其中f(x，y)为离子注入到光阻中的厚度，g(x，y)为离子注入到硅基中的厚度，y为注入能量，x为注入离子种类，AMU(x)为元素x的原子量。本发明提出的模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，可以计算出离子注入在光阻中的深度，从而针对不同离子注入条件选择相适应的光阻，以避免光阻穿透。

公开(公告)号：CN107275208B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201710401289.1

申请日：2017-05-31

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 谢威 ,  赖朝荣 ,  王智

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种晶圆退火的热量补偿方法，在晶圆的栅极上形成侧墙，对于每个晶圆，测量所述侧墙的厚度，并根据所述侧墙厚度的变化ΔD时，在晶圆尖峰退火时，对晶圆进行温度补偿，补偿温度ΔT＝a×ΔD+b，其中a、b为侧墙厚度变化ΔD以及尖峰退火温度变化Δt对电性参数的影响系数。由于每个晶圆在制作时，其侧墙厚度并不一致，因此本发明针对每个晶圆侧墙厚度的变化，制定了温度补偿公式ΔT＝a×ΔD+b，从而针对不同的晶圆、不同的侧墙厚度，补偿不同的温度，从而保证不同的晶圆受热一致，使得该种工艺制作下来的半导体器件的电性参数稳定在一定范围内，方便后续的测试和应用。

公开(公告)号：CN107275208A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710401289.1

申请日：2017-05-31

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 谢威 ,  赖朝荣 ,  王智

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种晶圆退火的热量补偿方法，在晶圆的栅极上形成侧墙，对于每个晶圆，测量所述侧墙的厚度，并根据所述侧墙厚度的变化ΔD时，在晶圆尖峰退火时，对晶圆进行温度补偿，补偿温度ΔT＝a×ΔD+b，其中a、b为侧墙厚度变化ΔD以及尖峰退火温度变化Δt对电性参数的影响系数。由于每个晶圆在制作时，其侧墙厚度并不一致，因此本发明针对每个晶圆侧墙厚度的变化，制定了温度补偿公式ΔT＝a×ΔD+b，从而针对不同的晶圆、不同的侧墙厚度，补偿不同的温度，从而保证不同的晶圆受热一致，使得该种工艺制作下来的半导体器件的电性参数稳定在一定范围内，方便后续的测试和应用。

公开(公告)号：CN104022059B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410164143.6

申请日：2014-04-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/687

摘要： 本发明提供一种半导体炉管的晶舟，所述晶舟内设置有若干水平设置的支撑脚，所述支撑脚至少有三个处于同一水平面上，每个所述支撑脚固定于晶舟内壁上；每个所述支撑脚的未连接所述晶舟内壁的端头上均设置有一个支撑盘。其中，每个所述支撑盘的表面积均大于其所在的槽销的表面积。通过本发明能够将加大晶圆与晶舟的接触受力面积，从而减小了高温状况下晶圆的变形，避免了晶圆上出现色差缺陷。

公开(公告)号：CN105845612A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610212582.9

申请日：2016-04-07

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 涂新星 ,  王智 ,  苏俊铭

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67706

摘要： 一种机械手臂，具有连接臂和用于承载晶圆的晶圆承载夹持结构，并在所述机械手臂之连接臂处设置气体管路，且所述气体管路之出气口面向所述晶圆承载夹持结构的一侧。本发明通过在所述机械手臂之连接臂处设置气体管路，且所述气体管路之出气口面向所述晶圆承载夹持结构的一侧，并在待工艺处理之晶圆从晶圆传输盒至晶舟，或者从晶舟至晶圆传输盒的传输过程中，所述气体管路之出气口面向所述晶圆承载夹持结构喷吹洁净气体，以对所述机械手臂进行清洁，去除可能掉落在晶圆上的颗粒，从而达到减少颗粒缺陷的效果，提高产品良率。

公开(公告)号：CN105742215A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610173685.9

申请日：2016-03-24

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张乐成 ,  张召 ,  王智 ,  苏俊铭

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  F27D9/00 ,  B08B3/02

CPC分类号： H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  F27D9/00 ,  H01L21/673

摘要： 本发明提供了一种炉管、晶片冷却方法以及自动晶舟清洁方法。所述炉管包括：炉管反应腔、以及布置在炉管反应腔的用于晶舟出入的出入口处的吹风散热装置；其中吹风散热装置包括环形微孔管和布置在环形微孔管上的朝内喷射气体和/或液体的多个石英喷嘴；其中，晶舟穿过环形微孔管和所述出入口进入炉管反应腔内部。

公开(公告)号：CN105689330A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610185803.8

申请日：2016-03-29

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  张乐成 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： B08B5/02

CPC分类号： B08B5/02

摘要： 本发明公开了一种改善炉管晶舟支撑脚颗粒状况的装置及方法，通过在机械手臂的两侧设置喷嘴，可在利用机械手臂向晶舟传输晶圆的过程中，对晶舟支撑脚的支撑部位进行气体吹扫，达到清洁晶舟支撑脚的目的，从而可改善炉管机台存在的颗粒状况。

公开(公告)号：CN104078376A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410162796.0

申请日：2014-08-04

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 任川 ,  王智 ,  苏俊铭

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L22/30 ,  H01L21/67253

摘要： 一种用于炉管高温退火工艺的控片，包括：硅基衬底，以及沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅薄膜层，且所述二氧化硅薄膜层的厚度范围为数值30～50埃中的任一取值。本发明所述用于炉管高温退火工艺的控片通过在所述硅基衬底上淀积膜层厚度范围为数值30～50埃中的任一取值之二氧化硅薄膜层，不仅可以保护所述硅基衬底，使其在高温惰性气氛下不被钝化，并消除晶格损伤，对所述炉管高温退火工艺进行实时监控，而且可采用酸性溶液去除所述控片之二氧化硅薄膜层，并循环使用。

公开(公告)号：CN104051307A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410106570.9

申请日：2014-03-20

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 吴加奇 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/30

摘要： 本发明为一种改善多晶硅炉管控片监控机制的方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：在晶舟中设置有三个非产品晶片区域；采用若干产品晶片和若干第一挡片，将晶舟中除三个非产品晶片区域以外的区域填满；在非产品晶片区域中填充有第一挡片、第二挡片和控片；将晶舟置于炉管中进行多晶硅制备工艺；对使用后的第二挡片进行清洗和重新制备；重复上述步骤；其中，第二挡片为在一光片上沉积氮化硅和氧化硅后形成；控片则仅沉积氧化硅。本发明保证了炉管工艺过程中控片和产品晶片表面的多晶硅淀积速度一致，使控片能有效准确地反映产品晶片的颗粒数和膜厚，减少了控片使用的片数和量测时间，从而减少了日程监控的成本，提高了日程监控的效率。

公开(公告)号：CN104022059A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410164143.6

申请日：2014-04-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/6732

摘要： 本发明提供一种半导体炉管的晶舟，所述晶舟内设置有若干水平设置的支撑脚，所述支撑脚至少有三个处于同一水平面上，每个所述支撑脚固定于晶舟内壁上；每个所述支撑脚的未连接所述晶舟内壁的端头上均设置有一个支撑盘。其中，每个所述支撑盘的表面积均大于其所在的槽销的表面积。通过本发明能够将加大晶圆与晶舟的接触受力面积，从而减小了高温状况下晶圆的变形，避免了晶圆上出现色差缺陷。