一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法
Abstract:
本发明公开了碳化硅Trench MOS器件及其制作方法,属于功率半导体技术领域。本发明鉴于通过外部反并联一个快恢复二极管(FRD)以及直接使用碳化硅Trench MOS器件的寄生二极管均存在不足,通过在传统器件的P+接触区增设多晶硅区,使得多晶硅与碳化硅外延层材料形成Si/SiC异质结,进而在器件内部集成了一个二极管。本发明显著降低了器件二极管应用时的结压降;并且二极管应用时的导电模式由双极导电转变为单极导电,因此还具有反向恢复时间短,反向恢复电荷少的优点;本发明器件结构仍具有寄生碳化硅二极管反向漏电低,击穿电压高和器件温度稳定性能好的优点,因此本发明在逆变电路、斩波电路等电路中具有广阔前景。
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