Invention Grant
- Patent Title: 一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法
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Application No.: CN201710432726.6Application Date: 2017-06-09
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Publication No.: CN107256864BPublication Date: 2019-05-10
- Inventor: 张金平 , 邹华 , 刘竞秀 , 李泽宏 , 任敏 , 张波
- Applicant: 电子科技大学
- Applicant Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee: 杭州芯迈半导体技术有限公司
- Current Assignee Address: 310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201
- Agency: 成都点睛专利代理事务所
- Agent 葛启函
- Main IPC: H01L27/06
- IPC: H01L27/06 ; H01L29/24 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L29/78
Abstract:
本发明公开了碳化硅Trench MOS器件及其制作方法,属于功率半导体技术领域。本发明鉴于通过外部反并联一个快恢复二极管(FRD)以及直接使用碳化硅Trench MOS器件的寄生二极管均存在不足,通过在传统器件的P+接触区增设多晶硅区,使得多晶硅与碳化硅外延层材料形成Si/SiC异质结,进而在器件内部集成了一个二极管。本发明显著降低了器件二极管应用时的结压降;并且二极管应用时的导电模式由双极导电转变为单极导电,因此还具有反向恢复时间短,反向恢复电荷少的优点;本发明器件结构仍具有寄生碳化硅二极管反向漏电低,击穿电压高和器件温度稳定性能好的优点,因此本发明在逆变电路、斩波电路等电路中具有广阔前景。
Public/Granted literature
- CN107256864A 一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法 Public/Granted day:2017-10-17
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