- 专利标题： 用于循环与选择性材料移除与蚀刻的处理腔室
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申请号： CN201680013408.X申请日： 2016-08-02
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公开(公告)号： CN107408486B公开(公告)日： 2020-07-03
- 发明人: T·Q·特兰 , S·朴 , J·金 , D·卢博米尔斯基
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖
- 优先权： 62/214,902 2015.09.04 US
- 国际申请： PCT/US2016/045202 2016.08.02
- 国际公布： WO2017/039920 EN 2017.03.09
- 进入国家日期： 2017-09-01
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H01L21/311 ; H01L21/67 ; H01L21/683
摘要：
于此描述一种用于基板蚀刻的方法和设备。于此所述的处理腔室包括：源模块、处理模块、流动模块和排气模块。RF源可耦接至腔室，且远程等离子体可在源模块中产生且直接等离子体可在处理模块中产生。所描述的循环蚀刻处理可使用交替的自由基和直接等离子体以蚀刻基板。
公开/授权文献
- CN107408486A 用于循环与选择性材料移除与蚀刻的处理腔室 公开/授权日：2017-11-28
