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公开(公告)号：CN115799031A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211431121.2
申请日：2018-05-17
申请人： 应用材料公司
摘要： 公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可与中心通道和第二通道流体隔离。
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公开(公告)号：CN108962714B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201810471950.0
申请日：2018-05-17
申请人： 应用材料公司
摘要： 公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可与中心通道和第二通道流体隔离。
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公开(公告)号：CN107924839B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201680047101.1
申请日：2016-06-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/311
摘要： 描述了相对于第二暴露部分选择性蚀刻图案化基板的暴露部分的方法。蚀刻工艺是气相蚀刻，该气相蚀刻使用在与等离子体流出物组合之前于任何等离子体中并未被激发的氧化前驱物，所述等离子体流出物是在来自惰性前驱物的远程等离子体中形成。等离子体流出物可在无等离子体远程腔室区域和/或在无等离子体基板处理区域中与氧化前驱物组合。等离子体流出物的组合激发氧化前驱物并且从该图案化基板的暴露部分移除材料。蚀刻速率是可控制的且可选择的，这是通过调整氧化前驱物的流率或是未被激发/等离子体激发的流率比例来达成的。
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公开(公告)号：CN105580128B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201480053119.3
申请日：2014-09-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。
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公开(公告)号：CN109166782A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811055730.6
申请日：2014-10-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/52 , C23C16/509 , C23C16/503
摘要： 本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压，以最小化该通电的顶部电极与等离子体之间的电位差和/或该接地的底部电极与等离子体之间的电位差。最小化等离子体与电极之间的电位差减少颗粒产生，因为减小了这些电极的鞘区域中的离子的加速，且最小化离子与这些电极上的保护性涂覆层的碰撞力。因此，减少了基板表面上的颗粒产生。
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公开(公告)号：CN108922844A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201811056805.2
申请日：2014-10-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/503 , C23C16/509 , C23C16/52
摘要： 本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压，以最小化该通电的顶部电极与等离子体之间的电位差和/或该接地的底部电极与等离子体之间的电位差。最小化等离子体与电极之间的电位差减少颗粒产生，因为减小了这些电极的鞘区域中的离子的加速，且最小化离子与这些电极上的保护性涂覆层的碰撞力。因此，减少了基板表面上的颗粒产生。
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公开(公告)号：CN107810546A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680023572.9
申请日：2016-03-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L27/11556 , H01L27/11582
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要： 描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。
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公开(公告)号：CN106486335A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610724716.5
申请日：2016-08-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请公开了利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法。一种等离子体处理装置包括：第一等离子体源；第一平面电极；气体分配设备；等离子体阻挡筛网；以及工件卡盘。所述第一等离子体源产生第一等离子体产物，所述第一等离子体产物从所述第一等离子体源离开，穿过所述第一平面电极中的第一孔隙。所述第一等离子体产物继续穿过所述气体分配设备中的第二孔隙。所述等离子体阻挡筛网包括具有第四孔隙的第三板，并且面对所述气体分配设备，使得所述第一等离子体产物穿过所述多个第四孔隙。所述工件卡盘面对所述等离子体阻挡筛网的第二侧，从而在所述等离子体阻挡筛网与所述工件卡盘之间限定工艺腔室。所述第四孔隙具有足够小的大小，以便阻挡所述工艺腔室中产生的等离子体到达所述气体分配设备。
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公开(公告)号：CN116913808A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310781576.5
申请日：2017-05-18
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
摘要： 半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁架沿间隔件的第二表面延伸。腔室还可包括气体分配板，该气体分配板安装在支架上。
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