晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置
摘要:
本发明提供:可以抑制测定者间的评价结果的偏差的晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置。所述晶体缺陷的评价方法的特征在于:对硅片施行使该硅片中的晶体缺陷显现化的处理(步骤S1),其次拍摄硅片的表面以获取图像(步骤S2),然后对上述图像依次施行微分处理和二值化处理(步骤S3),根据施行了二值化处理的图像来评价硅片中的晶体缺陷(步骤S4)。
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