- 专利标题: 晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置
- 专利标题(英): Method of evaluating crystal defects, method of manufacturing silicon wafer, and device for evaluating crystal defects
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申请号: CN201710390218.6申请日: 2017-05-27
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公开(公告)号: CN107436306A公开(公告)日: 2017-12-05
- 发明人: 清水泰顺 , 高梨启一 , 北村贵文 , 北山乔之
- 申请人: 胜高股份有限公司
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 胜高股份有限公司
- 当前专利权人: 胜高股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 张桂霞; 杨思捷
- 优先权: 2016-107226 2016.05.30 JP
- 主分类号: G01N21/95
- IPC分类号: G01N21/95 ; G01B11/00
摘要:
本发明提供:可以抑制测定者间的评价结果的偏差的晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置。所述晶体缺陷的评价方法的特征在于:对硅片施行使该硅片中的晶体缺陷显现化的处理(步骤S1),其次拍摄硅片的表面以获取图像(步骤S2),然后对上述图像依次施行微分处理和二值化处理(步骤S3),根据施行了二值化处理的图像来评价硅片中的晶体缺陷(步骤S4)。
公开/授权文献
- CN107436306B 晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置 公开/授权日:2020-04-03