公开(公告)号：CN107436306B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201710390218.6

申请日：2017-05-27

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 清水泰顺 ,  高梨启一 ,  北村贵文 ,  北山乔之

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01B11/00

摘要： 本发明提供：可以抑制测定者间的评价结果的偏差的晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置。所述晶体缺陷的评价方法的特征在于：对硅片施行使该硅片中的晶体缺陷显现化的处理(步骤S1)，其次拍摄硅片的表面以获取图像(步骤S2)，然后对上述图像依次施行微分处理和二值化处理(步骤S3)，根据施行了二值化处理的图像来评价硅片中的晶体缺陷(步骤S4)。

公开(公告)号：CN107436306A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710390218.6

申请日：2017-05-27

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 清水泰顺 ,  高梨启一 ,  北村贵文 ,  北山乔之

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01B11/00

摘要： 本发明提供：可以抑制测定者间的评价结果的偏差的晶体缺陷的评价方法、硅片的制造方法和晶体缺陷的评价装置。所述晶体缺陷的评价方法的特征在于：对硅片施行使该硅片中的晶体缺陷显现化的处理(步骤S1)，其次拍摄硅片的表面以获取图像(步骤S2)，然后对上述图像依次施行微分处理和二值化处理(步骤S3)，根据施行了二值化处理的图像来评价硅片中的晶体缺陷(步骤S4)。