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公开(公告)号：CN111043992A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910977442.4
申请日：2019-10-15
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明涉及石英坩埚内周面的评价方法和石英坩埚内周面的评价装置。提供能够简便且短时间地对石英坩埚内周面进行评价的石英坩埚内周面的评价方法。根据本发明的石英坩埚内周面的评价方法包括：第1工序，进行石英坩埚的所述内周面的拍摄来取得所述内周面的图像，所述石英坩埚进行了硅单晶锭的提拉；第2工序，对所述图像施行图像处理来得到划定方石英与玻璃的边界后的边缘图像；第3工序，提取所述边缘图像中的所述边界所包围的闭区域；第4工序，针对所述提取出的所述闭区域中的所述边界的坐标信息进行基于所述方石英的轮形形状的运算来求取运算值；第5工序，基于所述运算值来判定所述边界所包围的闭区域是所述方石英和所述玻璃哪一个；以及第6工序，合成将判定为所述方石英的闭区域重合后的整体图像。
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公开(公告)号：CN105926033A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610106091.6
申请日：2016-02-26
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 间隔测定方法，其为在使晶种的下端与坩埚内的原料熔融液接触而在所述晶种的下端培养单晶之前，测定所述原料熔融液的液面与配置于所述原料熔融液上方的晶种的下端的间隔的方法，其中，通过光学方法，获得实像下端点的位置信息和镜像点的位置信息，所述实像下端点是所述晶种下端的特定点，所述镜像点是映出于所述液面的所述晶种的镜像中与所述实像下端点对应的点；在所述实像下端点的位置与所述镜像点的位置一致的点，所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔为0，从而求出所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔。通过该方法，可在晶种与原料熔融液液面接触之前，准确地测定原料熔融液液面与晶种的间隔。
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公开(公告)号：CN115461500B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202180029654.5
申请日：2021-01-06
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明的课题在于提高晶体提拉工序中测量的单晶直径的测量精度。本发明的单晶制造装置(10)具备：从熔液(13)提拉单晶(15)的单晶提拉部、拍摄在熔液(13)与单晶(15)的边界部产生的熔合环的相机(18)及处理相机(18)的拍摄图像的演算部(24)。演算部(24)根据相机(18)的设置角度(θC)及焦距，将显现于相机(18)的拍摄图像中的熔合环投影转换至相当于熔液的液面的基准平面上，并根据基准平面上的熔合环的形状来计算单晶(15)的直径。
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公开(公告)号：CN117769477A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280040078.9
申请日：2022-03-08
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , H01L21/304 , B24B49/12 , B24B49/04 , B24B37/08
摘要： 提供一种在双面研磨中能够在工件整体及工件外周部的形状成为作为目标的形状的时间点使双面研磨结束的工件的双面研磨装置。运算部(13)根据由工件厚度计测器计测出的工件的厚度数据，求出工件的形状成分、工件的形状成分的工件上的工件径向的位置、工件的形状分布及工件整体的形状指标；将所求出的每个工件的工件整体的形状指标成为工件整体的形状指标的设定值的时间点设为将双面研磨结束的时间点，在该时间点将双面研磨结束，所述工件整体的形状指标的设定值，基于本次的批次中的工件整体的形状指标的目标值与前次的批次中的工件整体的形状指标的实际值的差、以及前次的批次中的工件外周部的形状指标的实际值从本次的批次中的工件外周部的形状指标的目标范围的偏差决定。
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公开(公告)号：CN112313035B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN201980034151.X
申请日：2019-02-21
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/08 , B24B49/14 , H01L21/304
摘要： 本发明提出一种即使反复进行工件的两面研磨，也能够以所希望的形状来结束两面研磨的两面研磨装置及两面研磨方法。基于本发明的两面研磨装置具备测量载板的温度的温度测量机构（9）及控制工件的两面研磨的控制机构（20）。控制机构（20）决定下一批次中从根据由温度测量机构（9）所测量的载板（3）的温度变化的振幅来决定的基准时间点开始追加进行两面研磨的补偿时间，在从基准时间点开始经过已决定的补偿时间后的时间点结束工件的两面研磨。上述补偿时间的决定是基于从先前的批次中两面研磨的工件（1）的形状指标的实绩值及批次间的补偿时间的差所预测的关于下一批次的工件（1）的形状指标的预测值来进行的。
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公开(公告)号：CN114761626A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080087775.0
申请日：2020-10-30
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统（1）具备：单晶提拉装置（10），在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值，使用直径校正系数来校正直径测量值，由此，求出单晶的第1直径，根据第1直径控制单晶的直径；直径测量装置（50），在室温下测量单晶提拉装置（10）提拉的单晶的直径，求出单晶的第2直径；及数据库服务器（60），从单晶提拉装置（10）及直径测量装置（50）分别获取第1直径及第2直径并管理。数据库服务器（60）根据在室温下一致的直径测量位置的第1直径及第2直径算出直径校正系数的校正量，使用所述校正量来校正直径校正系数。
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公开(公告)号：CN107130290A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710111932.7
申请日：2017-02-28
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： [课题]正确地在单晶的提拉工序中测量晶体直径而不受来自加热器的辐射光强弱的影响。[解決手段]根据本发明所述的单晶的制造方法，基于Czochralski法的单晶的提拉工序中，用照相机拍摄前述单晶与融液面的分界部的图像，将在前述分界部出现的熔融环的圆周方向的最高亮度分布101中至少小于最大值的值设定为阈值H，将前述最高亮度分布101中最高亮度达到前述阈值H以下的区域指定为直径测量区域，进行直径测量处理。
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公开(公告)号：CN104380439A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380033520.6
申请日：2013-06-24
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/013 , H01L21/304
摘要： 提供一种高精度地进行工件的研磨量的控制的工件研磨方法。一种工件研磨方法，将设置于载板（30）上的工件（20）用分别设置有研磨垫（60a、60b）的上平台（50a）和下平台（50b）夹住，其中工件（20）保持于在从载板（30）的中心离开的位置具有中心的保持孔（40）中，通过驱动机构使载板（30）旋转，并使上平台（50a）和下平台（50b）旋转，从而每当载板（30）旋转一周，上平台（50a）和下平台（50b）的中心与工件（20）的中心的距离周期性地变化，并对工件（20）的表面和背面同时研磨，其中，测量上述驱动机构、上平台（50a）和下平台（50b）的转矩中的至少一个转矩；基于由于上述距离的周期性变化而引起的转矩分量的振幅，来控制工件（20）的研磨量。
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公开(公告)号：CN118360664A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410084193.7
申请日：2024-01-19
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 提供一种能够防止内表面粗糙且提高单晶成品率的单晶硅提拉用石英玻璃坩埚。石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(1a)、底部(1b)、设置于侧壁部(1a)和底部(1b)之间且具有比底部(1b)大的曲率的角部(1c)。至少遍及角部(1c)的整周测定透过光能量分布，根据透过光能量分布算出中心透过光能量Ia相对于散射透过光能量Ib的比率即中心/散射透过光比率E＝Ia/Ib时，中心/散射透过光比率E为0.1～1.8，角部(1c)的中心透过光及散射透过光的合计的透过率为10～60％。
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