Invention Grant
- Patent Title: 一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法
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Application No.: CN201710796075.9Application Date: 2017-09-06
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Publication No.: CN107445621BPublication Date: 2020-05-12
- Inventor: 赵德刚 , 吴迪 , 薄琳 , 王琳
- Applicant: 济南大学
- Applicant Address: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
- Assignee: 济南大学
- Current Assignee: 济南威诺光电仪器有限公司
- Current Assignee Address: 250000 山东省济南市历下区历山路142号幢2凯旋商务中心C座北楼111室
- Agency: 济南泉城专利商标事务所
- Agent 李桂存
- Main IPC: C04B35/547
- IPC: C04B35/547 ; C04B35/622

Abstract:
本发明属于热电材料技术领域,具体涉及一种Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法,该复合材料中Cu‑Te纳米晶在复合材料中的体积比为0.2‑1.2%。本发明制备的Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3型热电复合材料表现出较好的热电性能,大幅提升了Cu2SnSe3基体的ZT值;制备所需工艺操作简单、参数可控、适用于较大规模生产。
Public/Granted literature
- CN107445621A 一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法 Public/Granted day:2017-12-08
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IPC分类: