公开(公告)号：CN118812269A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410814830.1

申请日：2024-06-24

申请人： 郑州航空工业管理学院

发明人： 陈雷明 ,  张瑞 ,  程绍坤 ,  朱子怡 ,  刘航旗 ,  刘雪婷 ,  陈蕾莹 ,  王旭磊 ,  陈博宇 ,  裴桂斌 ,  潘晓宇 ,  姚梦媛 ,  鞠恒东 ,  何家乐

IPC分类号： C04B35/645 ,  C04B35/547 ,  G01N23/20008 ,  G01N23/20 ,  G01N9/00 ,  G01N25/18 ,  G01N3/40

摘要： 本发明属于工业余热能源再利用技术领域，具体涉及一种制备热电材料的新型烧结方法；步骤一：制备热电材料烧结前驱粉体且热电材料的粉体合成方式不受限制；步骤二：利用振荡热压工艺烧结块体样品；步骤三：对烧结后的块体样品进行测试前处理；步骤四：对烧结后的样品进行综合表征测试；本发明通过新型振荡热压烧结工艺合成热电块体样品，一方面烧结过程中振荡热压的交变载荷促进颗粒重排、排除粉末颗粒间隙的气体残留以降低样品气孔率有利于提升材料的电导率；另一方面通过施加振荡力，晶粒尺寸明显减小，晶界增加且增强，引入大量界面，进而来调控热导率和硬度，使得得到高致密度、高热电性能、高机械加工性能的热电材料。

公开(公告)号：CN118495952A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410923629.7

申请日：2024-07-10

申请人： 安徽大学

发明人： 李周 ,  陈多 ,  宋吉明 ,  宋迎庆 ,  徐卿 ,  钱军 ,  高妍 ,  方娴娴 ,  乐政涛 ,  程露寒

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

摘要： 本发明公开了一种化学键共价性增强的BiCuSeO基热电材料及其制备方法，属于新能源转换技术领域。按照Bi1‑xPb0.06SbxCuSe1‑xTexO（0＜x≤0.015）化学计量比称取Bi2O3，Bi，Cu，Se，PbO，Sb，Te高纯粉末作为原料，充分研磨以均匀混合。将混合原料真空封装于石英管中，通过高温固相烧结反应制得锭体产物，锭体产物经手动研磨、真空热压制得所述化学键共价性增强的BiCuSeO基热电材料。本发明制备的BiCuSeO基热电材料在引入Sb和Te掺杂后，化学键共价性得到增强，促进了载流子迁移率的提升；结合塞贝克系数的同步提升，获得了较高的功率因子。与此同时，Sb和Te掺杂也促进了热导率的降低。最终，所述BiCuSeO基材料的热电性能实现了显著优化。

公开(公告)号：CN118373690A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410494933.4

申请日：2024-04-24

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 宋庆峰 ,  柏胜强 ,  夏绪贵 ,  廖锦城

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及一种高性能n型碲化铋基热电材料及其制备方法，属于热电转换技术领域。所述n型碲化铋基热电材料的化学组成为LayBi2‑yTe2.7Se0.3‑xwt％Te，0≤x≤1.5，0≤y≤0.015，x,y不同时为0。本发明在固定Se掺杂量的前提下，减少Te元素以增加Te空位，降低载流子浓度使得无量纲热电优值zT峰值向低温方向移动，同时利用La掺杂Bi以优化电热输运性能，最终实现zT值的明显提高。

公开(公告)号：CN118352612A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410250239.8

申请日：2024-03-05

申请人： 深圳大学

发明人： 薛白 ,  陈南山 ,  樊博

IPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  C04B35/547 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种高致密度硫化物固体电解质及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：将硫化锂与五硫化二磷混合，得到混合物；对所述混合物进行高能球磨处理，得到第一固体电解质粉末；对所述第一固体电解质粉末进行低能球磨处理，得到第二固体电解质粉末；对所述第二固体电解质粉末进行冷压处理，得到冷压片；对所述冷压片进行烧结处理，得到所述高致密度硫化物固体电解质。在本发明的制备方法中，在常规高能球磨法机械合成硫化物固体电解质粉末的基础上，进一步引入低能球磨来改善硫化物固体电解质粉末的粒径分布均匀性与可烧结性，并通过烧结处理工艺大幅提高硫化物固体电解质的机械强度，改善物相纯度与结晶度，达到抑制锂枝晶在电解质内部迅速生长的目的。

公开(公告)号：CN118005399B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410417436.4

申请日：2024-04-09

申请人： 广州市尤特新材料有限公司

发明人： 周志宏 ,  周昭宇 ,  刘青雄

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/626

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，本发明公开了一种具有优异性能的碲化锌薄膜材料及其制备方法，包括以下步骤：（1）将碲粉、锌粉、碲化锌粉混合均匀，得到混合粉体；（2）将钛酸四丁酯、硝酸铋加入到水中，搅拌均匀，再加入十六烷基三甲基溴化铵、硅烷偶联剂，分散均匀，得到改性液A；（3）将硝酸镧加入到水中，搅拌均匀，再加入聚甲基丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮，搅拌均匀，得到改性液B；（4）将混合粉体、改性液B加入到改性液A中，搅拌均匀，超声处理，干燥，得到前驱体；（5）将前驱体热处理，得到碲化锌薄膜材料。所述的碲化锌薄膜材料具有优异的光电性能，能够有效的提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN117613371A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202410070277.5

申请日：2024-01-18

申请人： 中国第一汽车股份有限公司 ,  国联汽车动力电池研究院有限责任公司

发明人： 孙焕丽 ,  柏祥涛 ,  翟喜民 ,  杨容 ,  别晓非 ,  王刘振 ,  姜涛 ,  王坤

IPC分类号： H01M10/0562 ,  C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  H01M10/052

摘要： 本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种固态电解质的制备方法、固态电解质及其应用。本发明的一种固态电解质的制备方法，包括以下步骤：将固态电解质的原料进行研磨，得到前驱体；将所述前驱体进行成型处理，得到片体；对所述片体进行烧结处理；所述固态电解质的化学式为Li6P1‑aMaS5X，其中，M包括Sb、Nb、V和Si中的至少一种，X选自卤族元素中的至少，0.05

公开(公告)号：CN114956823B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202210584839.9

申请日：2022-05-27

申请人： 先导薄膜材料(广东)有限公司

发明人： 周荣艳 ,  文崇斌

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

摘要： 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种导电碲化镉靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）将Cd粉、CdTe粉混匀，得到混合物料；（2）将步骤（1）的混合物料装入石墨模具，置于热压炉中进行预压；（3）预压完成后，抽真空处理，至真空度

公开(公告)号：CN117209280A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311192816.4

申请日：2023-09-15

申请人： 先导薄膜材料(广东)有限公司

发明人： 文崇斌 ,  朱刘 ,  童培云

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  F27D7/06 ,  F27D9/00

摘要： 本发明属于材料制备领域，公开了一种硒化镉粉末的制备装置及制备方法、及硒化镉靶材的制备方法。制备装置包括反应器，反应器包括加热反应腔和冷却腔，加热反应腔包括设置在两端的第一加热腔和第二加热腔、设置在第一加热腔和第二加热腔之间的反应腔，反应腔的下方与冷却腔一端连通；制备方法包括以下步骤：将Cd粉和Se粉分别装入第一加热腔和第二加热腔中分别升温至800～850℃、750～800℃，生成硒化镉粉末，由冷却腔收集；硒化镉粉末进行加热反应，得到硒化镉靶材。本发明的制备装置结构简单，配合硒化镉粉末的制备工艺，工艺流程短、操作简便，适用于大规模生产，制备低氧含量、且无需后处理的硒化镉及其靶材。

公开(公告)号：CN117164360A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311124186.7

申请日：2023-09-01

申请人： 先导薄膜材料(安徽)有限公司

发明人： 侯龙泉 ,  欧海玲 ,  马国成 ,  陆维镇

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

摘要： 本发明提供高致密度二硒化锗靶材的制备方法，包括：（1）装料：在模具的侧壁依次设置与侧壁适配的石墨纸、支撑板、石墨纸；在模具的底部依次垫设石墨纸、支撑板、石墨纸，然后装入一层二硒化锗粉末，夯实后再按照石墨纸‑支撑板‑石墨纸‑二硒化锗粉末层的装料顺序，继续装入n层的二硒化锗粉末，直至装完最后一层二硒化锗粉末，再依次垫设石墨纸、支撑板、石墨纸，最后完成模具封装；（2）将安装好的模具进行除气、等静压烧结处理；（3）出炉、脱模、机加工，得到靶材。该制备方法可以制备单层、双层或多层装的高致密度二硒化锗靶材，靶材不存在变形的现象，且靶材致密度可以达到97%以上，相比于热压方式致密度大幅提高。

公开(公告)号：CN116970906A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310149128.3

申请日：2023-02-22

申请人： 湖北大学

发明人： 何云斌 ,  郭紫曼 ,  卢寅梅 ,  黎明锴 ,  刘洋 ,  陈剑

IPC分类号： C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

摘要： 本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜及其制备方法和应用，该导电薄膜的制备方法，包括：制备MgZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向腔内通入一氧化氮气体，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法，以自制的MgZnOS陶瓷作为靶材在衬底上生长氮掺杂的MgZnOS薄膜；将得到的氮掺杂MgZnOS薄膜于温度为500℃、一氧化氮压强为7Pa的条件下退火，得到氮掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。本发明的制备方法，掺入Mg可以削弱Zn的d轨道与N的p轨道之间的耦合作用，造成No受主能级的降低；同时Mg‑N键键能大于Zn‑N键键能，Mg‑N键更容易形成，有利于N的掺入，提高了N在薄膜中的固溶度；掺入S取代O，少量的S取代O会提高ZnO价带顶的位置，从而降低No受主的电离能。