- 专利标题: 晶体管声传感元件及其制备方法、声传感器和便携设备
- 专利标题(英): Transistor acoustic sensing element, preparation method thereof, acoustic sensor and portable device
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申请号: CN201710729633.X申请日: 2017-08-23
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公开(公告)号: CN107478320A公开(公告)日: 2017-12-15
- 发明人: 王庆贺 , 胡金良 , 彭锐 , 王东方 , 袁广才
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 罗瑞芝; 陈源
- 主分类号: G01H11/06
- IPC分类号: G01H11/06
摘要:
本发明提供一种晶体管声传感元件及其制备方法、声传感器和便携设备。该晶体管声传感元件包括设置在基底上的栅极、栅绝缘层、第一极、有源层和第二极,有源层为纳米细线三维网孔结构,有源层能在声音信号的作用下产生振动,以使晶体管声传感元件的输出电流发生相应变化。该晶体管声传感元件通过采用纳米细线三维网孔结构的有源层,能实现对声音信号的检测,由于该结构的有源层能够灵敏感测声波的微弱振动,所以该结构的有源层能提高该晶体管声传感元件感测声音信号的灵敏度,从而提高其对声音的感测性能。
公开/授权文献
- CN107478320B 晶体管声传感元件及其制备方法、声传感器和便携设备 公开/授权日:2019-11-05